[实用新型]多晶硅还原炉及多晶硅生产系统

说明书

本实用新型提供一种多晶硅还原炉及多晶硅生产系统，涉及多晶硅还原炉结构技术领域，为解决现有技术中存在多晶硅还原炉仅能够位于固定位置进行装载、反应以及卸料等步骤，导致产料、原料以及废料之间不能够充分隔离，容易出现相互掺杂污染的问题而设计。本实用新型提供的多晶硅还原炉，包括钟罩、底盘、电极以及滚轮。钟罩罩设于底盘，并形成用于生产多晶硅的反应腔，电极的一端穿入底盘并延伸至反应腔，且电极由外部电源供电；滚轮转动连接于底盘的底部。本实用新型还提供一种多晶硅生产系统，包括上述的多晶硅还原炉。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅还原炉结构技术领域，尤其是涉及一种多晶硅还原炉及多晶硅生产系统。

背景技术

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅是太阳能光伏及电子通讯产品类用原料，在光伏电池生产、电子通讯领域中起着举足轻重的作用，因此电子工业领域针对多晶硅生产过程中的各个系统在不断进行优化提升。现有多晶硅生产系统中，还原系统是能耗最高、最具有挖潜空间的系统。

多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，具体地，高纯三氯氢硅与氢气通过进料口加入到还原炉，还原炉构成的空间内有作为沉积载体的电极，电机外部装载有载体硅芯，电极通电到达1080℃的高温，在高纯三氯氢硅与氢气的混合气氛围下实现多晶硅沉积于载体硅芯。

而现有技术中，多晶硅还原炉仅能够位于固定位置进行装载、反应以及卸料等步骤，导致产料、原料以及废料之间不能够充分隔离，容易出现相互掺杂污染的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种多晶硅还原炉及多晶硅生产系统，以解决现有技术中存在多晶硅还原炉仅能够位于固定位置进行装载、反应以及卸料等步骤，导致产料、原料以及废料之间不能够充分隔离，容易出现相互掺杂污染的技术问题。

本实用新型提供的多晶硅还原炉，包括钟罩、底盘、电极以及滚轮。

所述钟罩罩于所述底盘，并形成用于生产多晶硅的反应腔，所述电极的一端穿入所述底盘并延伸至所述反应腔，且所述电极由外部电源供电；所述滚轮转动连接于所述底盘的底部。

进一步地，所述多晶硅还原炉还包括导轨；所述导轨铺设于承载着所述多晶硅还原炉的承载面，且所述滚轮能够沿所述导轨滚动。

进一步地，所述导轨至少包括装载反应段、卸料段以及清理段三个工作段。

所述多晶硅还原炉能够依次运动至所述装载反应段、所述卸料段以及所述清理段。

进一步地，所述装载反应段、所述卸料段以及所述清理段的位置处均设置有用于锁止所述滚轮的锁止件。

进一步地，所述底盘具有四个边角，且每个边角均安装有一个所述滚轮。

所述导轨包括两条轨道，位于同一侧的两个所述滚轮能够与单条轨道滚动配合。

进一步地，所述电极与外部电源接触式供电连接。

进一步地，所述电极与导电线路连接，导电线路末端设置有第一接插件，所述第一接插件能够与外部电源上的第二接插件插接配合。

进一步地，沿所述导轨排布轨迹上，所述承载面或者所述承载面的上方位置设置有接触电线，所述电极连接有受电结构，所述受电结构与所述接触电线滑动电连接。

进一步地，所述多晶硅还原炉还包括原料气输入管道、废气排出管道以及冷却管道，所述冷却管道盘绕于所述钟罩和所述底盘。

所述冷却管道具有冷却水入口和冷却水出口，所述冷却水入口和所述冷却水出口均可拆卸地连接于外部循环水系统。