[实用新型]一种硅极板

权利要求书

1.一种硅极板，采用掺杂导电的晶体硅材料制成，其特征在于，所述硅极板的表面设有碳膜，通过碳膜与外部气体扩散层接触，用于降低硅极板与所述气体扩散层之间的接触电阻。

2.根据权利要求1所述的硅极板，其特征在于，所述碳膜的厚度范围为0.01-2μm。

3.根据权利要求1所述的硅极板，其特征在于，所述碳膜采用通过沉积工艺成型得到的碳沉积膜；对位于硅极板表面的所述碳沉积膜进行或不进行热处理或非热处理。

4.根据权利要求1所述的硅极板，其特征在于，在所述硅极板与所述碳膜之间设置中间过渡层，用于降低所述硅极板与所述碳膜之间的接触电阻。

5.根据权利要求4所述的硅极板，其特征在于，所述中间过渡层的厚度范围为0.01-2μm。

6.根据权利要求4所述的硅极板，其特征在于，所述中间过渡层为金属沉积膜或硅碳复合沉积膜。

7.根据权利要求1所述的硅极板，其特征在于，所述硅极板具有正面还原剂流道和/或反面氧化剂流道，且所述正面还原剂流道和反面氧化剂流道分别设有与其相连通的硅极板进出口组合。

8.根据权利要求7所述的硅极板，其特征在于，所述硅极板包括2个或2个以上的硅片，所述硅片具有单面或双面流道；其中，所述硅片未覆盖流道的表面区域之间采用导电材料复合连接堆叠为一体，且通过所述复合连接形成位于所述硅极板内部的内部流道，所述内部流道用于注入冷却介质实现对所述硅极板的冷却，位于所述硅片的非堆叠面的流道作为还原剂流道或氧化剂流道；所述硅片的非堆叠面设有所述碳膜。

9.根据权利要求7所述的硅极板，其特征在于，所述硅极板包括具有单面或双面流道的单个硅片，其中，硅片的氧化剂流道同时作为冷却流道，通过氧化剂流道注入的氧化剂实现对硅极板的冷却。

10.根据权利要求1或8或9所述的硅极板，其特征在于，所述掺杂导电的晶体硅材料采用单晶体或多晶体掺杂硅片；且其电阻率不高于0.1Ω.cm。