[实用新型]一种用于5G光通信的滤光片、5G光通信模块有效
申请号: | 202021492971.X | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN212515114U | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 何伟亮 | 申请(专利权)人: | 奥普镀膜技术(广州)有限公司 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G02B1/115;G02B6/42 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 张金福 |
地址: | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 光通信 滤光 模块 | ||
1.一种用于5G光通信的滤光片,其特征在于:包括玻璃基板(G),在玻璃基板(G)的一面设有高反膜(2),在玻璃基板(G)的另一面设有增透膜(3),所述的高反膜(2)由一层高反射介质(H)和一层低反射介质(L)作为一个循环周期进行N次循环堆积而成,其中N正整数,所述的增透膜(3)由一层高反射介质和一层低反射介质作为一个循环周期进行M次循环堆积而成,其中M为正整数。
2.根据权利要求1所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的N为40,即所述的高反膜(2)由一层高反射介质(H)和一层低反射介质(L)作为一个循环周期进行40次循环堆积而成。
3.根据权利要求1所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的M为2,即所述的增透膜(3)由一层高反射介质(H)和一层低反射介质(L)作为一个周期进行2次循环堆积而成。
4.根据权利要求2或3任一项所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的高反射介质(H)采用五氧化二钽制作而成。
5.根据权利要求4所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的低反射介质(L)采用二氧化硅制作而成。
6.根据权利要求5所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的高反膜采用非规整结构,即所述的高反膜(2)在不同的循环周期内设置的高反射介质(H)的厚度、低反射介质(L)的厚度不相同。
7.根据权利要求6所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的高反膜(2)在不同的循环周期内设置的高反射介质(H)的厚度、低反射介质(L)的厚度,具体如下:
第1循环周期的五氧化二钽的厚度为151.34nm,二氧化硅的厚度为221.63nm;
第2循环周期的五氧化二钽的厚度为127.26nm,二氧化硅的厚度为176.39nm;
第3循环周期的五氧化二钽的厚度为126.03nm,二氧化硅的厚度为218.5nm;
第4循环周期的五氧化二钽的厚度为152.62nm,二氧化硅的厚度为235.58nm;
第5循环周期的五氧化二钽的厚度为150.66nm,二氧化硅的厚度为229.44nm;
第6循环周期的五氧化二钽的厚度为146.09nm,二氧化硅的厚度为221.41nm;
第7循环周期的五氧化二钽的厚度为140.26nm,二氧化硅的厚度为210.87nm;
第8循环周期的五氧化二钽的厚度为137.45nm,二氧化硅的厚度为215.87nm;
第9循环周期的五氧化二钽的厚度为145.39nm,二氧化硅的厚度为228.18nm;
第10循环周期的五氧化二钽的厚度为149.21nm,二氧化硅的厚度为230.23nm;
第11循环周期的五氧化二钽的厚度为148.08nm,二氧化硅的厚度为228.02nm;
第12循环周期的五氧化二钽的厚度为146.51nm,二氧化硅的厚度为224.02nm;
第13循环周期的五氧化二钽的厚度为143.71nm,二氧化硅的厚度为217.33nm;
第14循环周期的五氧化二钽的厚度为140.97nm,二氧化硅的厚度为216.97nm;
第15循环周期的五氧化二钽的厚度为144.17nm,二氧化硅的厚度为224.4nm;
第16循环周期的五氧化二钽的厚度为147.58nm,二氧化硅的厚度为227.91nm;
第17循环周期的五氧化二钽的厚度为147.84nm,二氧化硅的厚度为227.8nm;
第18循环周期的五氧化二钽的厚度为147.53nm,二氧化硅的厚度为226.24nm;
第19循环周期的五氧化二钽的厚度为146.44nm,二氧化硅的厚度为221.28nm;
第20循环周期的五氧化二钽的厚度为143.17nm,二氧化硅的厚度为216.46nm;
第21循环周期的五氧化二钽的厚度为142.69nm,二氧化硅的厚度为220.2nm;
第22循环周期的五氧化二钽的厚度为145.76nm,二氧化硅的厚度为225.44nm;
第23循环周期的五氧化二钽的厚度为147.2nm,二氧化硅的厚度为227.51nm;
第24循环周期的五氧化二钽的厚度为147.8nm,二氧化硅的厚度为228.19nm;
第25循环周期的五氧化二钽的厚度为148.07nm,二氧化硅的厚度为225.62nm;
第26循环周期的五氧化二钽的厚度为145.17nm,二氧化硅的厚度为218.09nm;
第27循环周期的五氧化二钽的厚度为141.19nm,二氧化硅的厚度为216.65nm;
第28循环周期的五氧化二钽的厚度为142.9nm,二氧化硅的厚度为222.68nm;
第29循环周期的五氧化二钽的厚度为145.77nm,二氧化硅的厚度为227.12nm;
第30循环周期的五氧化二钽的厚度为147.66nm,二氧化硅的厚度为230.02nm;
第31循环周期的五氧化二钽的厚度为149.53nm,二氧化硅的厚度为229.71nm;
第32循环周期的五氧化二钽的厚度为147.1nm,二氧化硅的厚度为218.5nm;
第33循环周期的五氧化二钽的厚度为138.51nm,二氧化硅的厚度为210.34nm;
第34循环周期的五氧化二钽的厚度为138.88nm,二氧化硅的厚度为218.8nm;
第35循环周期的五氧化二钽的厚度为144.52nm,二氧化硅的厚度为227.54nm;
第36循环周期的五氧化二钽的厚度为149.85nm,二氧化硅的厚度为235.9nm;
第37循环周期的五氧化二钽的厚度为154.88nm,二氧化硅的厚度为226.22nm;
第38循环周期的五氧化二钽的厚度为132.94nm,二氧化硅的厚度为181.01nm;
第39循环周期的五氧化二钽的厚度为124.07nm,二氧化硅的厚度为210.03nm;
第40循环周期的五氧化二钽的厚度为126.88nm,二氧化硅的厚度为46.01nm。
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