[实用新型]一种用于5G光通信的滤光片、5G光通信模块有效

专利信息
申请号: 202021492971.X 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN212515114U 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 何伟亮 申请(专利权)人: 奥普镀膜技术(广州)有限公司
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;G02B1/115;G02B6/42
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 张金福
地址: 510700 广东省广州市黄*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 光通信 滤光 模块
【权利要求书】:

1.一种用于5G光通信的滤光片,其特征在于:包括玻璃基板(G),在玻璃基板(G)的一面设有高反膜(2),在玻璃基板(G)的另一面设有增透膜(3),所述的高反膜(2)由一层高反射介质(H)和一层低反射介质(L)作为一个循环周期进行N次循环堆积而成,其中N正整数,所述的增透膜(3)由一层高反射介质和一层低反射介质作为一个循环周期进行M次循环堆积而成,其中M为正整数。

2.根据权利要求1所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的N为40,即所述的高反膜(2)由一层高反射介质(H)和一层低反射介质(L)作为一个循环周期进行40次循环堆积而成。

3.根据权利要求1所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的M为2,即所述的增透膜(3)由一层高反射介质(H)和一层低反射介质(L)作为一个周期进行2次循环堆积而成。

4.根据权利要求2或3任一项所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的高反射介质(H)采用五氧化二钽制作而成。

5.根据权利要求4所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的低反射介质(L)采用二氧化硅制作而成。

6.根据权利要求5所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的高反膜采用非规整结构,即所述的高反膜(2)在不同的循环周期内设置的高反射介质(H)的厚度、低反射介质(L)的厚度不相同。

7.根据权利要求6所述的用于5G光通信的滤光片,其特征在于:所述的高反膜(2)在不同的循环周期内设置的高反射介质(H)的厚度、低反射介质(L)的厚度,具体如下:

第1循环周期的五氧化二钽的厚度为151.34nm,二氧化硅的厚度为221.63nm;

第2循环周期的五氧化二钽的厚度为127.26nm,二氧化硅的厚度为176.39nm;

第3循环周期的五氧化二钽的厚度为126.03nm,二氧化硅的厚度为218.5nm;

第4循环周期的五氧化二钽的厚度为152.62nm,二氧化硅的厚度为235.58nm;

第5循环周期的五氧化二钽的厚度为150.66nm,二氧化硅的厚度为229.44nm;

第6循环周期的五氧化二钽的厚度为146.09nm,二氧化硅的厚度为221.41nm;

第7循环周期的五氧化二钽的厚度为140.26nm,二氧化硅的厚度为210.87nm;

第8循环周期的五氧化二钽的厚度为137.45nm,二氧化硅的厚度为215.87nm;

第9循环周期的五氧化二钽的厚度为145.39nm,二氧化硅的厚度为228.18nm;

第10循环周期的五氧化二钽的厚度为149.21nm,二氧化硅的厚度为230.23nm;

第11循环周期的五氧化二钽的厚度为148.08nm,二氧化硅的厚度为228.02nm;

第12循环周期的五氧化二钽的厚度为146.51nm,二氧化硅的厚度为224.02nm;

第13循环周期的五氧化二钽的厚度为143.71nm,二氧化硅的厚度为217.33nm;

第14循环周期的五氧化二钽的厚度为140.97nm,二氧化硅的厚度为216.97nm;

第15循环周期的五氧化二钽的厚度为144.17nm,二氧化硅的厚度为224.4nm;

第16循环周期的五氧化二钽的厚度为147.58nm,二氧化硅的厚度为227.91nm;

第17循环周期的五氧化二钽的厚度为147.84nm,二氧化硅的厚度为227.8nm;

第18循环周期的五氧化二钽的厚度为147.53nm,二氧化硅的厚度为226.24nm;

第19循环周期的五氧化二钽的厚度为146.44nm,二氧化硅的厚度为221.28nm;

第20循环周期的五氧化二钽的厚度为143.17nm,二氧化硅的厚度为216.46nm;

第21循环周期的五氧化二钽的厚度为142.69nm,二氧化硅的厚度为220.2nm;

第22循环周期的五氧化二钽的厚度为145.76nm,二氧化硅的厚度为225.44nm;

第23循环周期的五氧化二钽的厚度为147.2nm,二氧化硅的厚度为227.51nm;

第24循环周期的五氧化二钽的厚度为147.8nm,二氧化硅的厚度为228.19nm;

第25循环周期的五氧化二钽的厚度为148.07nm,二氧化硅的厚度为225.62nm;

第26循环周期的五氧化二钽的厚度为145.17nm,二氧化硅的厚度为218.09nm;

第27循环周期的五氧化二钽的厚度为141.19nm,二氧化硅的厚度为216.65nm;

第28循环周期的五氧化二钽的厚度为142.9nm,二氧化硅的厚度为222.68nm;

第29循环周期的五氧化二钽的厚度为145.77nm,二氧化硅的厚度为227.12nm;

第30循环周期的五氧化二钽的厚度为147.66nm,二氧化硅的厚度为230.02nm;

第31循环周期的五氧化二钽的厚度为149.53nm,二氧化硅的厚度为229.71nm;

第32循环周期的五氧化二钽的厚度为147.1nm,二氧化硅的厚度为218.5nm;

第33循环周期的五氧化二钽的厚度为138.51nm,二氧化硅的厚度为210.34nm;

第34循环周期的五氧化二钽的厚度为138.88nm,二氧化硅的厚度为218.8nm;

第35循环周期的五氧化二钽的厚度为144.52nm,二氧化硅的厚度为227.54nm;

第36循环周期的五氧化二钽的厚度为149.85nm,二氧化硅的厚度为235.9nm;

第37循环周期的五氧化二钽的厚度为154.88nm,二氧化硅的厚度为226.22nm;

第38循环周期的五氧化二钽的厚度为132.94nm,二氧化硅的厚度为181.01nm;

第39循环周期的五氧化二钽的厚度为124.07nm,二氧化硅的厚度为210.03nm;

第40循环周期的五氧化二钽的厚度为126.88nm,二氧化硅的厚度为46.01nm。

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