[实用新型]一种Trench MOS器件有效
| 申请号： | 202021493210.6 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN212587513U | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 唐呈前;李生龙;袁力鹏;常虹 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 trench mos 器件 | ||
1.一种Trench MOS器件，其特征在于，包括：外延层，栅极沟槽和外围分压沟槽；
所述外延层上设置所述栅极沟槽和所述外围分压沟槽；
所述栅极沟槽从下至上分为栅极沟槽底部区域和栅极沟槽侧壁区域，所述栅极沟槽底部区域的底面与衬底层上表面之间的距离小于阱区层的底面与衬底层上表面之间的距离；
所述栅极沟槽底部区域从外至内依次包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和多晶硅层或氮化硅层；所述栅极沟槽侧壁区域从外至内包括栅极氧化层和多晶硅层。
2.如权利要求1所述的Trench MOS器件，其特征在于，所述外围分压沟槽从下至上分为外围分压沟槽底部区域和外围分压沟槽侧壁区域，所述外围分压沟槽底部区域的底面与衬底层上表面之间的距离小于阱区层的底面与衬底层上表面之间的距离；
所述外围分压沟槽包括有多个，与所述栅极沟槽相邻的第一外围分压沟槽的外围分压沟槽侧壁区域包括与栅极沟槽相邻的一部分侧壁和与外围分压沟槽相邻的一部分侧壁。
3.如权利要求2所述的Trench MOS器件，其特征在于，当所述栅极沟槽底部区域从外至内依次包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和多晶硅层时；
与栅极沟槽相邻的一部分侧壁从外至内包括栅极氧化层和多晶硅层，与外围分压沟槽相邻的一部分侧壁从外至内包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和多晶硅层；
所述外围分压沟槽从外至内依次包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和多晶硅层。
4.如权利要求2所述的Trench MOS器件，其特征在于，当所述栅极沟槽底部区域从外至内依次包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和氮化硅层时；
与栅极沟槽相邻的一部分侧壁从外至内包括栅极氧化层和多晶硅层，与外围分压沟槽相邻的一部分侧壁从外至内包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和多晶硅层；
所述外围分压沟槽侧壁从外至内依次包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和多晶硅层；所述外围分压沟槽底部从外至内依次包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和氮化硅层。
5.如权利要求1所述的Trench MOS器件，其特征在于，位于所述栅极沟槽之间的外延层上表面包括栅极氧化层，外延所述外围分压沟槽中间的外延层上表面包括栅极氧化层，牺牲氧化层和第二氧化层。
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