[实用新型]一种Trench MOS功率器件有效
| 申请号： | 202021493617.9 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN212587514U | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 杨科;夏亮;袁力鹏;完颜文娟;常虹 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 trench mos 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种Trench MOS功率器件，其特征在于，包括：外延层，栅极沟槽和注入埋层；
所述栅极沟槽设置在所述外延层上；
所述注入埋层位于所述栅极沟槽的正下方，且与所述栅极沟槽的底部以及侧壁相接触，所述注入埋层包括N型埋层和P型埋层。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述注入埋层从下至上包括N型埋层和P型埋层，且所述N型埋层将所述P型埋层包裹在内，所述N型埋层的上表面与位于所述外延层内的P型阱区的下表面不接触。
3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述注入埋层从下至上包括P型埋层和N型埋层，且所述P型埋层将所述N型埋层包裹在内，所述P型埋层的上表面与位于所述外延层内的N型阱区的下表面不接触。
4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅极沟槽上的栅极氧化层的厚度为265A～500A。
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