[实用新型]一种异质结太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：N型单晶硅片，依次设在硅片正面的第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及第一ITO层、金属栅线层。依次设在硅片背面的第二本征非晶硅层、P型非晶硅层以及第二ITO层、金属栅线层；所述第一ITO层包括第一ITO薄膜和第三ITO薄膜；所述第二ITO层包括第二ITO薄膜和第四ITO薄膜。本实用新型通过设置在与金属栅线层接触的掺氢ITO由非晶态经过快速退火后完成晶化的转变，使得电池具有良好的耐蚀性，同时在短路电流和转换效率上展现了优异的性能。

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池

背景技术

硅基异质结太阳能电池是目前被广泛研究的高效太阳能电池技术之一，硅基异质结电池由于有高质量的氢化非晶硅钝化，能够减轻在光照下产生的空穴与电子在电池内部复合而消失的现象，电池有高的开路电压。但由于非晶硅的导电性差，需要在非晶硅和金属栅线之间插入一层透明导电氧化物膜来收集电流，同时起到减反射的作用，增加光的吸收。目前常规应用在异质结太阳能电池的透明导电氧化物膜为ITO膜。但由于非晶硅无法承受较高的温度，ITO成膜温度及退火温度一般控制在200℃以下。此类ITO膜在耐受水汽、酸雾等的侵蚀能力方面较差，给电池和组件的可靠性带来诸多问题。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，不但能够提高电池的耐蚀性，还可以提升电池的短路电流和转换效率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下设计方案：一种异质结太阳能电池，包括N型单晶硅片，依次设在硅片正面的第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及第一ITO层、金属栅线层；依次设在硅片背面的第二本征非晶硅层、P型非晶硅层以及第二ITO层、金属栅线层；所述第一ITO层包括第一ITO薄膜和第三ITO薄膜；所述第二ITO层包括第二ITO薄膜和第四ITO薄膜。

进一步的，所述第一ITO薄膜和第二ITO薄膜为不掺氢ITO薄膜，所述第三ITO薄膜和第四ITO薄膜为掺氢ITO薄膜。

进一步的，所述第一ITO薄膜和第二ITO薄膜厚度为10-30nm，所述第三ITO薄膜和第四ITO薄膜厚度为50-100nm。

进一步的，所述第一本征非晶硅层、N型非晶硅层、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层厚度为1～15nm。

本实用新型的异质结太阳能电池通过设置在与金属栅线层接触的掺氢ITO由非晶态经过快速退火后完成晶化的转变，使得电池具有良好的耐蚀性；通过设置在非晶硅侧的不掺氢ITO，避免了非晶硅因被氧化而对钝化和接触产生的不良影响，使得电池同时在短路电流和转换效率上展现了优异的性能。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型一种异质结太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，一种异质结太阳能电池，包括N型单晶硅片1，依次设在硅片正面的第一本征非晶硅层2、N型非晶硅层3以及第一ITO层4、金属栅线层5；依次设在硅片背面的第二本征非晶硅层6、P型非晶硅层7以及第二ITO层8、金属栅线层5；所述第一ITO层4包括第一ITO薄膜41和第三ITO薄膜42，所述第二ITO层8包括第二ITO薄膜81和第四ITO薄膜82。

本实用新型所述太阳能电池的具体制作过程可以如下：

步骤1：N型单晶硅片1通过制绒清洗方式在表面形成金字塔绒面；