[实用新型]一种防打滑的双面压花胶膜有效
| 申请号： | 202021504644.1 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN213546330U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 乔刚;吕松;黄宝玉;季志超;张刚 | 申请（专利权）人： | 常州斯威克光伏新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 陈烨 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 打滑 双面 压花 胶膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种防打滑双面压花胶膜，其特征在于：所述胶膜的一面为三角纹与浅磨砂纹组成的复合压花结构，三角纹的目数为5-20目，所述三角纹高度为100-200μm，所述三角纹为三棱锥结构，所述三角纹规则排列，相邻的三角纹旋转180°。
2.根据权利要求1所述的一种防打滑双面压花胶膜，其特征在于：所述浅磨砂纹为不规则结构。
3.根据权利要求1所述的一种防打滑双面压花胶膜，其特征在于：所述浅磨砂纹的高度为20-50μm。
4.根据权利要求1所述的一种防打滑双面压花胶膜，其特征在于：所述胶膜的另一面为深磨砂纹结构。
5.根据权利要求4所述的一种防打滑双面压花胶膜，其特征在于：所述深磨砂纹为不规则结构。
6.根据权利要求4所述的一种防打滑双面压花胶膜，其特征在于：所述深磨砂纹花纹高度为50-80μm。
7.根据权利要求4所述的一种防打滑双面压花胶膜，其特征在于：所述深磨砂纹上间隔布置沟槽结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
