[实用新型]低温多晶氧化物阵列基板

权利要求书

1.一种低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在衬底基板上的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包括第一半导体层、第一源极、第一漏极、第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极，所述第一源极和所述第一漏极分别连接在所述第一半导体层两侧，所述第二源极和所述第二漏极分别连接在所述第二半导体层两侧；

所述第一半导体层、第一源极、第一漏极和公共栅极形成第一薄膜晶体管，所述第二半导体层、第二源极、第二漏极和公共栅极形成第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管沿所述阵列基板的层叠方向设于所述第一薄膜晶体管上方，且所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管在竖直方向上具有重叠区域；

其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者为多晶硅半导体层，另一者为金属氧化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管中的一者在衬底基板上的正投影位于另一者在衬底基板上的正投影的覆盖范围内。

3.根据权利要求2所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述公共栅极沿所述阵列基板的层叠方向设于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述公共栅极用于驱动所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。

4.根据权利要求3所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组件还包括设置在所述衬底基板上的缓冲层，所述第一半导体层设置在所述缓冲层上。

5.根据权利要求4所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述缓冲层包括依次层叠在所述衬底基板上的第一缓冲层和第二缓冲层。

6.根据权利要求4所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组件还包括设置在所述缓冲层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述第一半导体层，所述公共栅极设置在所述栅绝缘层上。

7.根据权利要求6所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组件还包括设置在所述栅绝缘层上的栅极保护层，所述栅极保护层覆盖所述公共栅极；其中，所述栅极保护层和所述栅绝缘层中设置有连通至所述第一半导体层的接触孔，所述第一源极和所述第一漏极设置在所述栅极保护层中并通过所述接触孔与所述第一半导体层接触。

8.根据权利要求7所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述栅极保护层包括依次层叠在所述栅绝缘层上的第一栅极保护层和第二栅极保护层，所述第一源极和所述第一漏极设置在所述第一栅极保护层和所述第二栅极保护层之间。

9.根据权利要求7所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组件还包括设置在所述栅极保护层上的氧化物绝缘层，所述第二半导体层及所述第二源极、所述第二漏极均设置在所述氧化物绝缘层上。

10.根据权利要求9所述的低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管组件还包括设置在所述氧化物绝缘层上的金属氧化物保护层，所述金属氧化物保护层覆盖所述第二半导体层及所述第二源极、所述第二漏极。