[实用新型]一种基于圆形双面超导薄膜限流器的开关

权利要求书

1.一种基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：包括基底片，沿基底片至上侧依次设有上超导薄膜和上分流层，沿基底片至下侧依次设有下超导薄膜和下分流层，上超导薄膜和下超导薄膜表面均设有电流路径且相邻路径间均匀设有多个弱点，电流路径包括流入接口和流出接口且流入接口至流出接口的电流路径呈轴对称设立且等效为并联连接的电阻。

2.根据权利要求1所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：同竖直轴上的上超导薄膜和下超导薄膜串联形成有超导薄膜组，相邻超导薄膜组间串联连接。

3.根据权利要求2所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：同超导薄膜组的上超导薄膜和下超导薄膜的电流路径形状均相同。

4.根据权利要求1所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：上超导薄膜和下超导薄膜的数量相同且至少为一个。

5.根据权利要求1所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：流出接口数量为两个且呈轴对称设立。

6.根据权利要求1所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：基底片采用铝酸镧材质且厚度为0.5mm。

7.根据权利要求1所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：上超导薄膜和下超导薄膜均采用YBCO薄膜且厚度均为300nm。

8.根据权利要求1所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：上分流层和下分流层均采用铜金属材质且厚度范围为50nm至100nm之间。

9.根据权利要求1所述的基于圆形双面超导薄膜限流器的开关，其特征在于：电流路径采用刻蚀技术加工。