[实用新型]垂直腔面激光发射装置有效
申请号: | 202021522349.9 | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN212751397U | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 张义荣 | 申请(专利权)人: | 传周半导体科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/026;H01S5/02315 |
代理公司: | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人: | 邢江峰 |
地址: | 200003 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 激光 发射 装置 | ||
1.一种垂直腔面激光发射装置,其特征在于,包括:
一陶瓷基板;
发射第一波长的第一垂直腔面激光发射二极管,设置在所述陶瓷基板上;
发射第二波长的第二垂直腔面激光发射二极管,设置在所述陶瓷基板上;以及
一驱动控制电路,设置在所述陶瓷基板上,用于驱动所述第一垂直腔面激光发射二极管,并在所述第一垂直腔面激光发射二极管工作失效时,启动所述第二垂直腔面激光发射二极管工作。
2.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,在一接收装置未接收到所述第一垂直腔面激光发射二极管发射的信号时,主机判定所述第一垂直腔面激光发射二极管工作失效,则输出一命令给所述驱动控制电路,以启动所述第二垂直腔面激光发射二极管工作。
3.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,还包括塑封支架,设置在所述陶瓷基板上,用于固定所述第一垂直腔面激光发射二极管、第二垂直腔面激光发射二极管以及驱动控制电路。
4.如权利要求3所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,还包括扩散层,设置在所述塑封支架上并覆盖所述第一垂直腔面激光发射二极管、第二垂直腔面激光发射二极管以及驱动控制电路,用于控制发射角度。
5.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,所述陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板。
6.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,所述第一波长为905nm。
7.如权利要求1所述的垂直腔面激光发射装置,其特征在于,所述第二波长为680nm。
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