[实用新型]顶针、升降机构和半导体机台有效
申请号: | 202021522475.4 | 申请日: | 2020-07-27 |
公开(公告)号: | CN213093186U | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 杨军成 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶针 升降 机构 半导体 机台 | ||
1.一种顶针,用于承托半导体基片,其特征在于,所述顶针包括上部件和下部件,所述上部件的一端和所述下部件的一端螺纹连接;所述上部件为陶瓷结构,所述下部件为金属结构,且所述下部件的全部外表面覆盖有保护层。
2.根据权利要求1所述的顶针,其特征在于,所述下部件为纯铝结构,所述保护层为氧化铝层。
3.根据权利要求1所述的顶针,其特征在于,所述下部件的外径小于所述上部件的外径,所述上部件的所述一端具有内孔,所述内孔具有内螺纹,所述下部件的所述一端具有外螺纹,所述下部件的所述一端插入所述内孔并螺纹连接。
4.根据权利要求3所述的顶针,其特征在于,所述下部件的部分长度设置有所述外螺纹,且所述内孔从开口位置起的一部分长度设置有所述内螺纹。
5.根据权利要求3所述的顶针,其特征在于,所述内孔的深度不超过所述上部件的总长度的60%。
6.根据权利要求3所述的顶针,其特征在于,所述上部件的外径为1.5mm,所述下部件的外径为1.0mm,所述上部件的长度为29.0mm±2.0mm,所述内孔的深度为17.0mm±2.0mm,所述内螺纹的长度为5.0mm~10mm;所述下部件的长度为25.0mm±2.0mm,所述外螺纹的长度为5.0mm~10mm。
7.一种升降机构,其特征在于,包括升降驱动装置以及如权利要求1-6中任一项所述的顶针;所述升降驱动装置与所述顶针连接,用于驱动所述顶针做升降运动。
8.根据权利要求7所述的升降机构,其特征在于,还包括支架,所述升降驱动装置与所述支架连接,所述支架与所述顶针可拆卸地连接。
9.一种半导体机台,其特征在于,包括支撑座和如权利要求7或8所述的升降机构;所述顶针穿过所述支撑座;所述升降驱动装置用于驱动所述顶针相对于所述支撑座做升降运动。
10.根据权利要求9所述的半导体机台,其特征在于,还包括腔体,所述支撑座固定设置于所述腔体内,所述升降驱动装置设置于所述腔体外。
11.根据权利要求9或10所述的半导体机台,其特征在于,所述顶针具有一最高位置,且当所述顶针位于所述最高位置时,所述下部件的顶端高出所述支撑座一定高度。
12.根据权利要求11所述的半导体机台,其特征在于,所述半导体机台为刻蚀机台,且所述下部件的所述顶端高出所述支撑座的高度为2.0mm~3.0mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造