[实用新型]超大带宽的铌酸锂电光开关有效
申请号: | 202021524917.9 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN212322019U | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 何赛灵;黄强盛;林宗兴;陈楷旋 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;G02B6/125 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林松海 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超大 带宽 铌酸锂 电光 开关 | ||
1.一种超大带宽的铌酸锂电光开关,其特征在于:所述光开关包括多个依次首尾相连形成级联的等臂马赫-曾德干涉仪,所述的等臂马赫-曾德干涉仪中的波导结构基于铌酸锂薄膜平台;所述的等臂马赫-曾德干涉仪从输入到输出依次包括渐变输入波导、3dB分束器、分开弯曲波导、移相器、靠近弯曲波导、3dB合束器、渐变输出波导;所述的3dB分束器包括分束中间波导、分束上波导、分束下波导;其中,渐变输入波导与分束中间波导相连;所述的分开弯曲波导包括上分开弯曲波导、下分开弯曲波导;其中,上分开弯曲波导的一端和分束上波导相连,下分开弯曲波导的一端和分束下波导相连;所述的移相器包括上移相器和下移相器,上移相器包括上直波导、信号电极、上接地电极,下移相器包括下直波导、信号电极、下接地电极;所述的靠近弯曲波导包括上靠近弯曲波导、下靠近弯曲波导;所述的3dB合束器包括合束中间波导、合束上波导、合束下波导;其中,上移相器的上直波导的一端和上靠近弯曲波导相连,下直波导的一端和下靠近弯曲波导相连;上靠近弯曲波导的一端和3dB合束器的合束上波导相连,下靠近弯曲波导的一端和3dB合束器的合束下波导相连;合束中间波导与渐变输出波导相连。
2.根据权利要求1所述的超大带宽的铌酸锂电光开关,其特征在于:所述光开关中形成级联的多个等臂马赫-曾德干涉仪,通过选择级联的马赫-曾德干涉仪的个数以及对应的移相器的长度,在所需的超大带宽范围内实现超高的消光比。
3.根据权利要求1所述的超大带宽的铌酸锂电光开关,其特征在于:所述的铌酸锂薄膜平台的基底为铌酸锂,掩埋氧化物层为二氧化硅,覆盖层为二氧化硅,波导结构层为x切的薄膜铌酸锂;波导侧壁存在一个倾斜角θ;波导中使用的工作模式为TE基模。
4.根据权利要求1所述的超大带宽的铌酸锂电光开关,其特征在于:所述的分束中间波导的宽度由宽渐变至窄,分束上波导、分束下波导的宽度由窄渐变至宽,且整个渐变过程中分束中间波导与分束上波导、分束下波导的间隙保持不变。
5.根据权利要求1所述的超大带宽的铌酸锂电光开关,其特征在于:所述的上直波导、下直波导用于连接光场的输入与输出;信号电极、上接地电极放置于上直波导的左右两侧,用于与信号源相连接;信号电极、下接地电极放置于下直波导的左右两侧,用于与信号源相连接;在推挽结构下,信号电极接入信号源的正端,上接地电极、下接地电极共同接入信号源的负端;当信号源电压为零时,在上移相器和下移相器中,上直波导、下直波导中的TE基模的有效折射率不发生变化,上直波导、下直波导最后输出的光场相位差为0;当信号源电压不为零时,上直波导、下直波导最后输出的光场存在一个相位差。
6.根据权利要求5所述的超大带宽的铌酸锂电光开关,其特征在于:当信号源电压为半波电压时,上直波导、下直波导最后输出的光场的相位差为π, TE基模的有效折射率变化量等大反号,半波电压降低一半。
7.根据权利要求1所述的超大带宽的铌酸锂电光开关,其特征在于:所述的合束中间波导的宽度由窄渐变至宽,合束上波导、合束下波导的宽度由宽渐变至窄,且整个渐变过程中合束中间波导与合束上波导、合束下波导的间隙保持不变;当输入合束上波导、合束下波导的光场的相位差为0时,经过渐变后光场合束进入合束中间波导的TE基模;当输入合束上波导、合束下波导的光场的相位差为π时,经过渐变后光场合束进入合束中间波导的TE高阶模,若控制输出波导的宽度渐变至单模宽度,TE高阶模将变成辐射模而损耗。
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