[实用新型]一种用于海底接驳盒的直流高压变换电路

权利要求书

1.一种用于海底接驳盒的直流高压变换电路，包括变压器T1，其特征在于：变压器T1的初级绕组边设有第一支路和第二支路；

第一支路包括MOS管Q1，MOS管Q1的漏极端连接电源正极端，MOS管Q1的源极端与MOS管Q2的漏极端连接，MOS管Q2分别与MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、MOS管Q10、MOS管Q11、MOS管Q12、MOS管Q13、MOS管Q14进行串联连接，MOS管Q14的源极端连接二极管D1的阴极端、变压器T1初级绕组的第1端，二极管D1的阳极端连接电源的负极端；

第二支路包括二极管D2，二极管D2的阴极端连接电源的正极端，二极管D2的阳极端连接MOS管Q15的漏极端、变压器T1初级绕组的第2端，MOS管Q15分别与MOS管Q16、MOS管Q17、MOS管Q18、MOS管Q19、MOS管Q20、MOS管Q21、MOS管Q22、MOS管Q23、MOS管Q24、MOS管Q25、MOS管Q26、MOS管Q27、MOS管Q28进行串联连接，MOS管Q28的源极端连接电源的负极端；

变压器T1次级绕组的第3端连接二极管D3的阳极端，二极管D3的阴极端分别连接二极管D4的阴极端和电感L1的一端，电感L1的另一端分别连接电容C1的一端和接驳盒的正极端，电容C1的另一端连接二极管D4的阳极端和接驳盒的负极端，二极管D4的阳极端连接变压器T1次级绕组的第4端。

2.根据权利要求1所述的一种用于海底接驳盒的直流高压变换电路，其特征在于：所述的MOS管Q1、MOS管Q2、......、MOS管Q27、MOS管Q28的选型为：STP8NM60，耐压值为650V。

3.根据权利要求1所述的一种用于海底接驳盒的直流高压变换电路，其特征在于：所述的二极管D3的选型为S30K60T快恢复二极管，反向耐压600V，最大正向电流30A。

4.根据权利要求1所述的一种用于海底接驳盒的直流高压变换电路，其特征在于：所述的电感L1的参数大小为1mH，电容C1的参数大小为400V/100uF。

5.根据权利要求1所述的一种用于海底接驳盒的直流高压变换电路，其特征在于：所述的电源输入电压为直流10KV，输出电压为直流375V，输出功率为10KW。