[实用新型]一种高低频增益可调的模拟均衡器

权利要求书

1.一种高低频增益可调的模拟均衡器，其特征是，由2个有源负载网络、3个均衡电路和1个有源反馈电路组成；2个有源负载网络包括第一有源负载网络和第二有源负载网络；3个均衡电路包括第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和低频粗调均衡电路；

第一低频细调均衡电路的输入端vin和第二低频细调均衡电路的输入端vin相连后，形成本模拟均衡器的输入端VIN；

第一低频细调均衡电路的输入端vip和第二低频细调均衡电路的输入端vip相连后，形成本模拟均衡器的输入端VIP；

第一有源负载网络的输出端vonr与第一低频细调均衡电路的输出端von、第二低频细调均衡电路的输出端von、有源反馈电路的输出端vonfb和低频粗调均衡电路的输入端vin连接；

第一有源负载网络的输出端vopr与第一低频细调均衡电路的输出端vop、第二低频细调均衡电路的输出端vop、有源反馈电路的输出端vopfb和低频粗调均衡电路的输入端vip连接；

第二有源负载网络的输出端vonr、低频粗调均衡电路的输出端von和有源反馈电路的输入端vipfb相连后，形成本模拟均衡器的输出端VON；

第二有源负载网络的输出端vopr、低频粗调均衡电路的输出端vop和有源反馈电路的输入端vinfb相连后，形成本模拟均衡器的输出端VOP。

2.根据权利要求1所述的一种高低频增益可调的模拟均衡器，其特征是，第一低频细调均衡电路、第二低频细调均衡电路和低频粗调均衡电路的结构相同。

3.根据权利要求1或2所述的一种高低频增益可调的模拟均衡器，其特征是，每个均衡电路包括MOS管NM1-5、反馈电阻R1和反馈电容C1；其中MOS管NM1-5为NMOS管；

MOS管NM1的漏极形成均衡电路的输出端von；MOS管NM1的栅极形成均衡电路的输入端vin；MOS管NM1的源极、反馈电阻R1的一端、反馈电容C1的一端、MOS管NM3的漏极和MOS管NM4的漏极相连；MOS管NM2的漏极形成均衡电路的输出端vop；MOS管NM2的栅极形成均衡电路的输入端vip；MOS管NM2的源极、反馈电阻R1的另一端、反馈电容C1的另一端、MOS管NM3的源极和MOS管NM5的漏极相连；MOS管NM3的栅极接控制电压VCL；MOS管NM4的源极和MOS管NM5的源极接地；MOS管NM4的栅极和MOS管NM5的栅极接控制电压vb。

4.根据权利要求1所述的一种高低频增益可调的模拟均衡器，其特征是，第一有源负载网络和第二有源负载网络的结构相同。

5.根据权利要求1或4所述的一种高低频增益可调的模拟均衡器，其特征是，每个有源负载网络包含MOS管PM1-4、MOS管NM20-23和负载电阻R4-5；其中MOS管PM1-4为PMOS管，MOS管NM20-23为NMOS管；

MOS管PM1的源极接电源VDD；MOS管PM1的栅极接MOS管PM3的漏极和MOS管NM21的漏极，MOS管PM1的漏极接MOS管PM3的源极和电阻R4的一端；电阻R4的另一端形成有源负载网络的输出端vonr；MOS管PM3的栅极接高频控制电压VC；MOS管NM21的栅极、MOS管NM20的栅极和MOS管NM20的漏极接控制电流IC；MOS管NM20和MOS管NM21的源极接地；

MOS管PM2的源极接电源VDD；MOS管PM2的栅极接MOS管PM4的漏极和MOS管NM23的漏极，MOS管PM2的漏极接MOS管PM4的源极和电阻R5的一端；电阻R5的另一端形成有源负载网络的输出端vopr；MOS管PM4的栅极接高频控制电压VC；MOS管NM23的栅极、MOS管NM22的栅极和MOS管NM22的漏极接控制电流IC；MOS管NM22和MOS管NM23的源极接地。

6.根据权利要求1所述的一种高低频增益可调的模拟均衡器，其特征是，有源反馈电路包含MOS管NM11-14；其中MOS管NM11-14为NMOS管；

MOS管NM11的栅极形成有源反馈电路的输入端vinfb；MOS管NM11的漏极形成有源反馈电路的输出端vonfb；MOS管NM11的源极接MOS管NM13的漏极；MOS管NM13的栅极接控制电压vb，MOS管NM13的源极接地；

MOS管NM12的栅极形成有源反馈电路的输入端vipfb；MOS管NM12的漏极形成有源反馈电路的输出端vopfb；MOS管NM12的源极接MOS管NM14的漏极；MOS管NM14的栅极接控制电压vb，MOS管NM14的源极接地。