[实用新型]一种LED芯片及LED芯片的绝缘反射层

权利要求书

1.一种LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，包括绝缘层(1)，所述绝缘层(1)设有多个均匀间隔设置的导电通孔(2)，各所述导电通孔(2)内分别填充有导电材料；

所述导电通孔(2)包括大径端(21)和小径端(22)，且所述导电通孔(2)沿其轴线由所述大径端(21)向所述小径端(22)渐缩。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，各所述导电通孔(2)的内壁均设有镜面反射层(3)，且所述镜面反射层(3)的反射面朝向所述导电通孔(2)外设置。

3.根据权利要求1或2所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，所述导电材料为形成于所述导电通孔(2)内的石墨烯或阵列碳纳米管。

4.根据权利要求1或2所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，所述导电通孔(2)的截面为圆形，且所述大径端(21)的直径为180μm-220μm，所述小径端(22)的直径为80μm-120μm。

5.根据权利要求1或2所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，相邻两个所述导电通孔(2)的轴心之间的间距为200μm-220μm。

6.根据权利要求1或2所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，所述绝缘层(1)的材质包括SiN和SiO₂。

7.根据权利要求1或2所述的LED芯片的绝缘反射层，其特征在于，所述绝缘层(1)的厚度为200nm-400nm。

8.一种LED芯片，其特征在于，包括外延层(20)、金属电极(30)以及如权利要求1-7任一项所述的绝缘反射层，所述绝缘反射层夹设于所述外延层(20)和所述金属电极(30)之间，且所述绝缘反射层的导电通孔(2)的大径端(21)朝向所述金属电极(30)的一侧设置。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层(20)包括依次设置的GaAs缓冲层、n型GaAs欧姆接触层、n型GaAs掺杂层、GaAs量子阱层、p型GaAs掺杂层、p型GaAs欧姆接触层。