[实用新型]负压偏置保护电路和系统

说明书

本实用新型公开了一种负压偏置保护电路及系统。负压偏置保护电路包括：开关模块，开关模块的控制端接地，开关模块的第一端与所述负压偏置保护电路的负压输入端电连接，开关模块用于根据所述负压输入端输入的电压将其第一端与第二端导通或关断；阻性元件和开关晶体管，阻性元件连接于所述开关模块的第二端和所述开关晶体管的第一极之间，开关晶体管的第一极输入电源电压，所述开关晶体管的第二极用于向待保护MOS管的漏极输出漏极电压；偏置电压控制模块，连接所述开关模块的第二端和所述开关晶体管的栅极之间，用于根据所述开关模块第二端的电位向所述开关晶体管的控制极输出偏置电压。本实用新型实施例能够实现对待保护MOS管上电及关电的保护。

技术领域

本实用新型实施例涉及电路技术，尤其涉及一种负压偏置保护电路和系统。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体器件，如MOS管等在现代电子技术中的应用越来越广泛。

随着电动汽车、可再生能源和5G等领域的创新步伐不断加快，半导体应用端厂商越来越多地寻找更新更快更优异的解决方案，并对技术提出了更多的要求，以满足消费者和行业的需求。例如碳化硅和氮化镓半导体是满足这些需求的优选方案，其本身也在不断改进创新，但在电路应用方面的技术要求也越来越高。如耗尽型半导体器件在正常工作以及截至状态时均要求栅极为负压偏置，若无此负压偏置，则该器件可能因过度开启而热烧毁；耗尽型器件在应用过程中需要有加电或关电的时序要求；如加电或者关电时不能够先加漏极电压或者先撤掉漏极电压。现有技术对耗尽型半导体器件上电或关电时不能进行有效保护，限制了其在继电器、放大器、逆变器、电源等领域的应用范围。

实用新型内容

本实用新型提供一种负压偏置保护电路和系统，以实现对耗尽型半导体器件上电及关电的保护，从而扩大现有半导体器件的应用范围，满足日益增长的技术需求。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种负压偏置保护电路，包括：开关模块，所述开关模块的控制端接地，所述开关模块的第一端与所述负压偏置保护电路的负压输入端电连接，所述开关模块用于根据所述负压输入端输入的电压将其第一端与第二端导通或关断；阻性元件和开关晶体管，所述阻性元件连接于所述开关模块的第二端和所述开关晶体管的第一极之间，所述开关晶体管的第一极输入电源电压，所述开关晶体管的第二极用于向待保护MOS管的漏极输出漏极电压；偏置电压控制模块，连接所述开关模块的第二端和所述开关晶体管的控制极之间，用于根据所述开关模块第二端的电位向所述开关晶体管的控制极输出偏置电压。

可选地，所述开关模块包括：第一三极管，所述第一三极管的第一极作为所述开关模块的第一端，所述第一三极管的第二极作为所述开关模块的第二端，所述第一三极管的控制极作为所述开关模块的控制端；所述阻性元件包括第一电阻。

可选地，偏置电压控制模块包括：非门和第二三极管，所述非门的输入端与所述开关模块的第二端电连接，所述非门的输出端与所述第二三极管的控制极电连接，所述第二三极管的第一极接入参考信号，所述第二三极管的第二极与所述开关晶体管的控制极电连接。

可选地，所述偏置电压控制模块还包括：第二电阻，所述非门的输出端通过所述第二电阻与所述第二三极管的控制极电连接。

可选地，所述偏置电压控制模块还包括第一电容，所述第一电容的第一端与所述非门的输出端电连接，所述第一电容的第二端接地。

可选地，还包括：第三电阻，所述开关模块的第二端通过所述第三电阻与所述负压输入端电连接。

可选地，还包括：第二电容，所述第二电容的第一端与所述负压输入端电连接，所述第二电容的第二端接地。

可选地，还包括：第四电阻，所述开关模块的控制端通过所述第四电阻接地。