[实用新型]一种绝缘性好的半导体有效
| 申请号： | 202021541733.3 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN212676243U | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李麦果 | 申请（专利权）人： | 成都芯翼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/488;H01B3/04;B82Y30/00;B82Y40/00;B32B9/00;B32B9/04;B32B19/06;B32B27/08;B32B27/38;B32B27/40;B32B25/08;B32B25/20;B32B3/08 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 别亚琴 |
| 地址： | 610000 四川省成都市金*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘性 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘性好的半导体，包括半导体封装本体(1)，其特征在于：所述半导体封装本体(1)包括基层(2)，所述基层(2)的表面固定连接有加强层(3)，所述加强层(3)的表面固定连接有电绝缘层(4)，所述电绝缘层(4)的表面固定连接有保护层(5)，所述保护层(5)的表面固定连接有耐老化层(6)，所述耐老化层(6)的表面固定连接有耐腐蚀层(7)，所述耐腐蚀层(7)的表面固定连接有防水层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种绝缘性好的半导体，其特征在于：所述基层(2)的材质采用半导体器件制成，所述加强层(3)的材质采用纳米碳纤维材料制成。
3.根据权利要求1所述的一种绝缘性好的半导体，其特征在于：所述电绝缘层(4)的材质采用金云母材料制成，所述电绝缘层(4)的厚度为0.2毫米到0.5毫米。
4.根据权利要求1所述的一种绝缘性好的半导体，其特征在于：所述耐老化层(6)的材质采用硅橡胶制成，所述耐腐蚀层(7)的材质采用环氧树脂材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种绝缘性好的半导体，其特征在于：所述防水层(8)的材质采用聚氨酯材料制成，所述半导体封装本体(1)的底部固定连接有导电凸块(9)。
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