[实用新型]一种低相位噪声的晶体振荡器及电子计时器

权利要求书

1.一种低相位噪声的晶体振荡器，其特征在于，包括振荡电路、振幅检测电路及电压控制电路；

所述振幅检测电路与所述振荡电路的输出端相连，用于检测所述振荡电路的输出信号的振幅是否超过预设的幅值阈值；

所述电压控制电路与所述振幅检测电路的输出端相连，用于根据所述振幅检测电路的输出信号确定所述振荡电路的输入电压。

2.如权利要求1所述的低相位噪声的晶体振荡器，其特征在于，所述电压控制电路包括幅度管理电路、释放决定电路及调压电路；

所述幅度管理电路的输入端与所述振荡电路的输出端相连，用于通过所述振荡电路的输出信号得到电压调整信号；

所述释放决定电路的输入端与所述振幅检测电路的输出端及振幅检测电路的输出端相连，用于根据所述振幅检测电路的输出信号确定是否输出所述电压调整信号；

所述调压电路的输入端与所述释放决定电路的输出端相连，用于根据所述电压调整信号确定所述振荡电路的输入电压。

3.如权利要求2所述的低相位噪声的晶体振荡器，其特征在于，所述振幅检测电路包括第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第十七NMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管及第十八PMOS管，第五电容及第六电容，第四电阻；

所述第十六PMOS管的栅极及所述第十八PMOS管的栅极与第一正向电源相连，且所述第十六PMOS管的漏极分别与所述第十五PMOS管的栅极及所述第十七PMOS管的栅极相连，所述第十五PMOS管的源极及所述第十七PMOS管的源极与VDD相连，所述第十五PMOS管的漏极与所述第十六PMOS管的源极相连，所述第十七PMOS管的漏极与所述第十八PMOS管的源极相连；

所述第十三NMOS管的栅极及所述第十五NMOS管的栅极与第一反向电源相连，所述第十三NMOS管的漏极与所述第十六PMOS管的漏极相连，所述第十五NMOS管的漏极与所述第十八PMOS管的漏极相连，且所述第十五NMOS管的漏极与所述第十八PMOS管的漏极通过第五电容接地；

所述第十六NMOS管的栅极及所述第十七NMOS管的栅极与第三反向电源相连，且所述第十六NMOS管的漏极与所述第十五NMOS管的源极相连，所述第十六NMOS管的源极与所述第十七NMOS管的漏极相连，所述第十七NMOS管的源极接地；

所述振荡电路的输出端通过所述第六电容连接至所述第十四NMOS管的栅极，且所述第十四NMOS管的栅极通过所述第四电阻与第四反向电源相连，所述第十四NMOS管的源极接地，所述第十四NMOS管的漏极与所述第十三NMOS管的源极相连。

4.如权利要求3所述的低相位噪声的晶体振荡器，其特征在于，所述振幅检测电路还包括第一缓冲器；

所述振幅检测电路通过所述第一缓冲器与所述电压控制电路相连。