[实用新型]滤波器及通信基站

说明书

本实用新型涉及一种滤波器和通信基站，包括由介电材料制成的本体和设置在该本体表面的至少一对介质谐振器，在一对介质谐振器的第一介质谐振器孔和第二介质谐振器孔之间设置有两个耦合槽，第一介质谐振器孔和第二介质谐振器孔位于本体的同一表面；第一耦合槽为长条形，与介质谐振器孔位于同一表面，并与第一介质谐振器孔连通；第二耦合槽的横截面为“人”字形，位于介质谐振器孔的相对表面；第一耦合槽和第二耦合槽部分连通，第一介质谐振器和第二介质谐振器之间通过耦合槽实现容性耦合。本实用新型具有可简单、灵活调节耦合带宽，且不会激励出寄生谐振而使得远端带外抑制极好和便于大批量生产的技术效果。

技术领域

本实用新型涉及一种通信设备，特别是涉及介质滤波器交叉耦合技术。

背景技术

随着5G通信系统的建设，其设备对集成度要求越来越高，微波滤波器的小型化，轻量化是未来的应用趋势，介质波导具有高Q值，温漂小等优点，是一种很好的滤波器小型化解决方案。

介质滤波器通常需要引入容性交叉耦合实现传输零点达到强抑制的效果，实现低端的传输零点、对称的传输零点则需要引入容性耦合结构（单个高端传输零点有时不需引入容性耦合结构），传统介质波导滤波器实现容性耦合通常采用以下几种形式：一、采用频变耦合结构形式，虽然结构简单，但会引入额外的谐振点。二、直接从传统腔体滤波器飞杆结构衍生过来的容性耦合结构，相对较复杂，且增加了产品的零部件和工序。

CN 108598635 A公开了一种介质滤波器，其通过深度超过本体二分之一的深盲孔来实现容性耦合，该方案简化了实现电容耦合结构的制造工艺，但存在在滤波器通带的低端产生谐波，降低滤波器的抑制能力的缺点。

CN210468050U公开了一种用于实现对称传输零点的介质滤波器耦合结构，其包含位于同一表面两个盲孔谐振器、位于本体下方的第一盲槽和位于本体上方的第二盲槽。第一盲槽往一盲孔谐振器方向延伸，第二盲槽往另一盲孔谐振器方向延伸，第一盲槽和第二盲槽均与穿越本体的通孔相连。该方案不会在滤波器通带外产生额外的谐振，能提高滤波器的带外抑制能力。但是，该方案俩谐振器位于同一表面，其磁场耦合较强，电场耦合较弱，应用场景较窄。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种能避免在滤波器谐振频率低端产生寄生谐振，可以改善滤波器在频率低端的远端抑制的滤波器。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案为：

提供一种滤波器，包括由介电材料制成的本体和设置在该本体表面的至少一对介质谐振器，在一对介质谐振器的第一介质谐振器孔和第二介质谐振器孔之间设置有两个耦合槽，所述第一介质谐振器孔和第二介质谐振器孔位于本体的同一表面；第一耦合槽为长条形，与介质谐振器孔位于同一表面，并与第一介质谐振器孔连通；第二耦合槽的横截面包括弧形部分，位于介质谐振器孔的相对表面；第一耦合槽和第二耦合槽部分连通，第一介质谐振器和第二介质谐振器之间通过耦合槽实现容性耦合。

进一步地：

所述第二耦合槽的横截面的弧形部分背面延伸有一头部使得第二耦合槽的横截面呈“人字形”。

第二耦合槽的人字形头部与第一耦合槽连通，弧形部分朝向第二介质谐振器孔的正对面延伸。

所述第一耦合槽和第二耦合槽的连通部分位于本体中心。

所述第一耦合槽和第二耦合槽连通的部分设置在偏离本体中心位置，通过调节以下至少一个参数来调节耦合量：耦合槽高度、耦合槽宽度、耦合窗口大小或者介质谐振器之间的距离。

所述第一耦合槽和第二耦合槽连通的部分为圆柱、椭圆柱或棱柱。

所述第二耦合槽和/或第一耦合槽为阶梯状。