[实用新型]一种新型结构的同轴扬声器有效
申请号: | 202021559641.8 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN213880243U | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 陈新得 | 申请(专利权)人: | 陈新得 |
主分类号: | H04R9/02 | 分类号: | H04R9/02;H04R9/06 |
代理公司: | 深圳市卓科知识产权代理有限公司 44534 | 代理人: | 赵辉丽;潘晓 |
地址: | 435400 湖北省黄冈市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 结构 同轴 扬声器 | ||
本实用新型公开了一种新型结构的同轴扬声器,包括A支架、B支架、A音膜、B音膜、A音圈、B音圈、A华司、B华司、C华司、A磁铁、B磁铁、C磁铁、T铁。所述同轴扬声器的A支架和B支架上下组合设置在一起:所述A支架里面设置有A音膜、A音圈、A华司、B华司、A磁铁、B磁铁,A支架的内孔上沿设置有A音膜,A音膜的下面设置有A音圈,A音圈的外围设置有A华司,A华司的下面设置有A磁铁,A磁铁的下面设置有B华司,B华司的中心平面上设置有B磁铁,B磁铁设置在A音圈的里面。本实用新型采用新型结构的同轴扬声器,其结构设计遵循声学原理,结合低频和中高频扬声器同轴设计的结构使电声性能更加优异,频率响应范围更宽广。
技术领域
本实用新型涉及电声器件技术领域,具体涉及一种新型结构的同轴扬声器。
背景技术
扬声器的结构优劣决定其声音品质,普通结构的扬声器并不能做到真正的全频段重放声音,同一个扬声器低频段和高频段是相互矛盾的,低频多高频就少,低频少高频就会多,不能都做到理想状态,在这样的情况下需要开发新型结构的扬声器以更好地提高声音品质,展现全频段声音。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是一种新型结构的同轴扬声器,能够有效解决现有技术中的不足之处。
本实用新型是通过以下技术方案来实现的:一种新型结构的同轴扬声器,包括A支架、B支架、A音膜、B音膜、A音圈、B音圈、A华司、B华司、C华司、A磁铁、B磁铁、C磁铁、T铁A,所述同轴扬声器的A支架和B支架上下组合设置在一起:所述A支架里面设置有A音膜、A音圈、A华司、B华司、A磁铁、B磁铁,A支架的内孔上沿设置A音膜,A音膜的下面设置A音圈,A音圈的外围设置有A华司,A华司的下面设置A磁铁,A磁铁的下面设置B华司,B华司的中心平面上设置B磁铁,B磁铁设置在A音圈的里面;所述B支架里面设置B音膜、B音圈、C华司、C磁铁、T铁A,B支架的内孔上沿设置B音膜,B音膜的下面设置B音圈,B音圈的外围设置有C华司,C华司的下面设置有C磁铁,C磁铁的下面设置有T铁A,T铁A的中心柱设置在B音圈的里面。
一种新型结构的同轴扬声器,包括A支架、B支架、A音膜、B音膜、A音圈、B音圈、A华司、C华司、A磁铁、C磁铁、T铁A、T铁B,所述同轴扬声器的A支架和B支架上下组合设置在一起;所述A支架里面设置A音膜、A音圈、A华司、A磁铁、T铁B,A支架的内孔上沿设置A音膜,A音膜的下面设置A音圈,A音圈的外围设置A华司,A华司的下面设置A磁铁,A磁铁的下面设置T铁B,T铁B的中心柱设置在A音圈的里面;所述B支架里面设置B音膜、B音圈、C华司、C磁铁、T铁A,B支架的内孔上沿设置B音膜,B音膜的下面设置B音圈,B音圈的外围设置C华司,C华司的下面设置C磁铁,C磁铁的下面设置T铁A,T铁A的中心柱设置在B音圈的里面。
作为优选的技术方案,A支架和B支架上下组合设置在一起。
作为优选的技术方案,A支架里面的部件结构和B支架里面的部件结构都可以按照A支架里面的部件结构,也可以都按照B支架里面的部件结构来设置。
作为优选的技术方案,所述A支架和B支架的外形大小可以设置为一样也可以设置为不一样。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的特点是其结构设计遵循声学原理,结合低频和中高频扬声器同轴设计的结构使电声性能更加优异,频率响应范围更宽广。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例一的分解图;
图2是本实用新型实施例一的剖面图;
图3是本实用新型实施例二的剖面图;
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