[实用新型]一种多晶硅还原炉电极结构

权利要求书

1.一种多晶硅还原炉电极结构，包括电极体（1），所述电极体（1）安装在还原炉底盘（2）内，所述电极体（1）和还原炉底盘（2）之间设有的电极绝缘套（3），所述电极体（1）还套接有绝缘环（4），其特征在于：所述绝缘环（4）设置在电极绝缘套（3）上方，所述绝缘环（4）的内径比电极体（1）的外径大0.03-0.6mm。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极结构，其特征在于：所述电极体（1）设有凸台（5），所述绝缘环（4）最外缘不超过凸台（5）的最外缘。

3.根据权利要求2所述的一种多晶硅还原炉电极结构，其特征在于：所述绝缘环（4）的外缘包括第一凸弧（6）、第二凹弧（7）和第三凸弧（8），所述第一凸弧（6）连接第二凹弧（7），所述第二凹弧（7）连接第三凸弧（8），所述第二凹弧（7）为一个半圆圆弧或者水平方向为长轴的半个椭圆圆弧。

4.根据权利要求3所述的一种多晶硅还原炉电极结构，其特征在于：所述第一凸弧（6）与第二凹弧（7）之间设置有第四直线段（9），所述第二凹弧（7）和第三凸弧（8）之间还连接有第五直线段（10）。

5.根据权利要求4所述的一种多晶硅还原炉电极结构，其特征在于：在所述绝缘环（4）下方的电极体（1）上还设有第二凸台（11），所述第二凸台（11）与还原炉底盘（2）之间设有间隙（12），所述绝缘环（4）向下伸入间隙（12）中，用于防止高压击穿时电极体（1）与还原炉底盘（2）之间出现电气短路。

6.根据权利要求5所述的一种多晶硅还原炉电极结构，其特征在于：所述凸台（5）的下沿与绝缘环（4）之间设有密封垫圈（13）；所述还原炉底盘（2）与绝缘环（4）之间也设有密封垫圈（13），所述密封垫圈（13）均采用金属石墨缠绕垫，所述金属石墨缠绕垫的外边沿与电极体（1）的凸台（5）外沿齐平。

7.根据权利要求6所述的一种多晶硅还原炉电极结构，其特征在于：所述绝缘环（4）采用氮化硅或氧化铝的陶瓷材料的绝缘环（4）。