[实用新型]一种智能功率模块有效
申请号: | 202021565002.2 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN212627727U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 冯锴雄;杨忠添 | 申请(专利权)人: | 广东汇芯半导体有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02P27/06 |
代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陈志超;黄家豪 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区桂城街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 智能 功率 模块 | ||
1.一种智能功率模块,其特征在于,包括:
一HVIC芯片,其包括VSS端口、高侧输出端口以及低侧输出端口,所述高侧输出端口仅有HO1端口以及HO2端口,所述低侧输出端口仅有LO1端口以及LO2端口;
一逆变器单元,所述逆变器单元仅有第一绝缘栅双极型晶体管、第二绝缘栅双极型晶体管、第三绝缘栅双极型晶体管以及第四绝缘栅双极型晶体管;
所述第一绝缘栅双极型晶体管,其栅极与所述HO1端口连接,其漏极连接于P点,其源极连接于A点;
所述第二绝缘栅双极型晶体管,其栅极与所述LO1端口连接,其漏极与所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极连接,其源极与所述HVIC芯片的VSS端口连接;
所述第三绝缘栅双极型晶体管,其栅极与所述HO2端口连接,其漏极与所述第一绝缘栅双极型晶体管的漏极连接,其源极连接于B点;
所述第四绝缘栅双极型晶体管,其栅极与所述LO2端口连接,其漏极与所述第三绝缘栅双极型晶体管的源极连接,其源极与所述第二绝缘栅双极型晶体管的源极连接。
2.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括第一自举电容;
所述HVIC芯片还包括VB1端口以及VS1端口;所述VB1端口通过所述第一自举电容与所述VS1端口连接。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块,其特征在于,还包括第二自举电容;
所述HVIC芯片还包括VB2端口以及VS2端口;所述VB2端口通过第二自举电容与所述VS2端口连接。
4.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括一采样电阻;
所述第二绝缘栅双极型晶体管通过所述采样电阻与所述VSS端口连接;
所述HVIC芯片内设置有过流保护电路,用于当所述采样电阻采集的电流超过设定阈值时,停止工作。
5.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述HVIC芯片内还设置有过温保护开关。
6.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,所述HVIC芯片内还设置有过压保护开关。
7.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括第一快恢复二极管;
所述第一快恢复二极管的正极与所述第一绝缘栅双极型晶体管的源极连接,所述第一快恢复二极管的负极与所述第一绝缘栅双极型晶体管的漏极连接。
8.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括第二快恢复二极管;
所述第二快恢复二极管的正极与所述第二绝缘栅双极型晶体管的源极连接,所述第二快恢复二极管的负极与所述第二绝缘栅双极型晶体管的漏极连接。
9.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括第三快恢复二极管;
所述第三快恢复二极管的正极与所述第三绝缘栅双极型晶体管的源极连接,所述第三快恢复二极管的负极与所述第三绝缘栅双极型晶体管的漏极连接。
10.根据权利要求1所述的智能功率模块,其特征在于,还包括第四快恢复二极管;
所述第四快恢复二极管的正极与所述第四绝缘栅双极型晶体管的源极连接,所述第四快恢复二极管的负极与所述第四绝缘栅双极型晶体管的漏极连接。
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