[实用新型]半导体零部件和等离子体处理装置

说明书

一种半导体零部件和等离子体处理装置，其中，所述半导体零部件包括：半导体零部件本体；耐腐蚀涂层，位于所述半导体零部件本体的表面，由稀土元素氟氧化物的结晶相和非晶相组成，且所述结晶相与非晶相位于同一层，非晶相弥散在结晶相中。所述半导体零部件应用在先进的制程中能够降低颗粒污染问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体零部件和等离子体处理装置。

背景技术

等离子体蚀刻工艺在集成电路制造领域发挥了关键作用。最新的5nm制程中等离子体刻蚀工艺步骤数占总比已提升至17％以上。先进刻蚀制程工艺的功率和步骤的大幅提升，要求等离子体刻蚀腔室内的零部件具有更高的耐等离子体物理轰击及化学腐蚀性能，产生更少的微小颗粒污染及金属污染源，进一步保障刻蚀设备工艺的稳定性和可重复性。

目前，在5nm或3nm及以下的制程中，存在着苛刻的颗粒污染要求，除了在整个零部件的生命周期内，要求小于28nm的颗粒小于10颗，而且要求贴地率越小越好，即0@28nm的颗粒的概率。为了满足不断缩小的线宽要求，等离子体刻蚀制程工艺中采用的功率和步骤大幅提升。而目前的涂层在先进制程(5nm及以下)中逐渐出现失效，存在微小颗粒污染，不能很好的满足先进制程的需求。

发明内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种半导体零部件和等离子体处理装置，以在先进制程中降低颗粒污染。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体零部件，包括：半导体零部件本体；耐腐蚀涂层，位于所述半导体零部件本体的表面，由稀土元素氟氧化物的结晶相和非晶相组成，且所述结晶相与非晶相位于同一层，非晶相弥散在结晶相中。

可选的，所述耐腐蚀涂层为结晶结构。

可选的，所述耐腐蚀涂层稀土元素氟氧化物的稀土元素包括Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中至少一种。

可选的，所述同一层的结晶相与非晶相的稀土元素相同。

可选的，所述同一层的结晶相与非晶相的稀土元素不相同。

可选的，所述耐腐蚀涂层的厚度为0.01微米～200微米。

可选的，所述非晶相位于结晶相的表面和结晶相的本体中。

可选的，所述半导体零部件本体的材料包括：铝合金、碳化硅、硅、石英、陶瓷等中的至少一种。

可选的，所述耐腐蚀涂层的致密度为98％～100％。

相应的，本实用新型还提供一种等离子体处理装置，包括：反应腔，其内为等离子体环境；上述半导体零部件，位于所述反应腔内，暴露于所述等离子体环境中。

可选的，所述等离子体环境中包括氟、氯或氧中的至少一种。

可选的，所述等离子体处理装置为等离子体刻蚀装置或者等离子体清洁装置。

可选的，当所述等离子体刻蚀装置为电感耦合等离子体刻蚀装置时，所述零部件包括：陶瓷板、内衬套、气体喷嘴、气体分配板、气管法兰、静电吸盘组件、覆盖环、聚焦环、绝缘环和等离子体约束装置中的至少一种。

可选的，当等离子体刻蚀装置为电容耦合等离子体刻蚀装置时，所述零部件包括：喷淋头、上接地环、移动环、气体分配板、气体缓冲板、静电吸盘组件、下接地环、覆盖环、聚焦环、绝缘环、可升降隔离环或等离子体约束装置中的至少一种。