[实用新型]一种均衡充电保护装置有效

专利信息
申请号: 202021578506.8 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN212726520U 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 林师正;谭龙智;王圣师;王绥明;张运高;黄尧;刘杰 申请(专利权)人: 澄迈中等职业技术学校(海南省技工学校澄迈分校)
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;B60L58/22;B60L53/62
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王立普
地址: 571900 海南*** 国省代码: 海南;46
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摘要:
搜索关键词: 一种 均衡 充电 保护装置
【权利要求书】:

1.一种均衡充电保护装置,其特征在于,包括:串联电池组、主充电路和多个辅充电路;所述串联电池组与所述主充电路连接;所述串联电池组包括多个串联的单体电池;一个所述单体电池并联一个所述辅充电路;所述主充电路用于为所述串联电池组提供主充电流;所述辅充电路用于为对应并联的辅充电路提供辅充电流。

2.根据权利要求1所述的一种均衡充电保护装置,其特征在于,还包括主控电路;所述主充电路和多个所述辅充电路均与所述主控电路连接。

3.根据权利要求2所述的一种均衡充电保护装置,其特征在于,还包括:电压采集电路、电流采集电路和温度采集电路;所述电压采集电路、所述电流采集电路和所述温度采集电路均与所述主控电路连接。

4.根据权利要求1所述的一种均衡充电保护装置,其特征在于,所述主充电路包括MOS管、稳压二极管、肖特基二极管、第一三极管和第二三极管;所述MOS管的源极与所述稳压二极管的一端连接;所述MOS管的栅极与所述稳压二极管的另一端连接;所述MOS管的漏极通过所述肖特基二极管与第一电源连接;所述第一三极管的基极与控制信号连接;所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的基极连接;所述第二三极管的集电极与所述MOS管的栅极连接;所述第二三极管的发射极接地;所述第一三极管的集电极与第二电源连接。

5.根据权利要求1所述的一种均衡充电保护装置,其特征在于,所述辅充电路包括电源管理芯片、降压式变换电路、充电状态指示电路、补偿电路和隔离电路;所述降压式变换电路、所述充电状态指示电路、所述补偿电路和所述隔离电路均与所述电源管理芯片连接。

6.根据权利要求2所述的一种均衡充电保护装置,其特征在于,所述主控电路的型号为STM32F407ZET6。

7.根据权利要求5所述的一种均衡充电保护装置,其特征在于,所述电源管理芯片的型号为CN3705。

8.根据权利要求2所述的一种均衡充电保护装置,其特征在于,还包括LCD液晶显示电路;所述LCD液晶显示电路与所述主控电路连接。

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