[实用新型]微波等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 202021593746.5 | 申请日: | 2020-08-04 |
公开(公告)号: | CN212505057U | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 牛进毅;苗岱 | 申请(专利权)人: | 山西云矽电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/44;C23C16/511 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 030000 山西省太原市小店区康宁街康宁大厦(山西国际*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
1.一种微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,包括:
波导装置(100);
反应腔(200),设置在所述波导装置(100)下方,与所述波导装置(100)连接;
冷却罩(300),与所述反应腔(200)连接,用于对所述反应腔(200)进行风冷散热;
屏蔽罩(400),围设在所述反应腔(200)外部,以防止所述反应腔(200)内的电磁辐射泄漏;
旋转升降机构,所述旋转升降机构与所述反应腔(200)内设置的生长平台(201)连接,以实现所述生长平台(201)在所述反应腔(200)内做直线运动和旋转运动。
2.根据权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述冷却罩(300)包括均风板(301)、引风道(302)、风机(303)和连接管(304),其中,
所述均风板(301)设置在所述屏蔽罩(400)上方;
所述引风道(302)与所述均风板(301)连接;
所述风机(303)通过所述连接管(304)与所述引风道(302)连接。
3.根据权利要求2所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述均风板(301)上设置有若干通风孔(3011)。
4.根据权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述屏蔽罩(400)上设置有若干通孔(401)。
5.根据权利要求4所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述通孔(401)的直径小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10。
6.根据权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述旋转升降机构包括主轴(500)、升降机构(600)和旋转机构(700),所述主轴(500)与所述生长平台(201)连接;
所述升降机构(600)与所述主轴(500)连接,以驱动所述主轴(500)带动所述生长平台(201)在所述反应腔(200)内上下移动;
所述旋转机构(700)与所述主轴(500)连接,以驱动所述主轴(500)带动所述生长平台(201)在所述反应腔(200)内做旋转运动。
7.根据权利要求6所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述升降机构(600)包括第一伺服电机(601)、第一传动件以及第一控制器,其中,
所述第一传动件分别与所述第一伺服电机(601)和所述主轴(500)连接;
所述第一控制器与所述第一伺服电机(601)连接,用于控制所述第一伺服电机(601)驱动所述第一传动件运动,以使所述主轴(500)带动所述生长平台(201)在所述反应腔(200)内上下移动。
8.根据权利要求6所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,所述旋转机构(700)包括第二伺服电机(701)、第二传动件以及第二控制器,其中,
所述第二传动件分别与所述第二伺服电机(701)和所述主轴(500)连接;
所述第二控制器与所述第二伺服电机(701)连接,用于控制所述第二伺服电机(701)驱动所述第二传动件运动,以使所述主轴(500)带动所述生长平台(201)在所述反应腔(200)内做旋转运动。
9.根据权利要求8所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,还包括冷却机构(800),所述冷却机构(800)包括套接在所述主轴(500)外部的水套轴(801),其中,
所述水套轴(801)侧面开设有冷却水进口(8011)和冷却水出口(8012);
所述主轴(500)内部设置有进水通道(802)和出水通道(803),所述进水通道(802)通过开设在所述主轴(500)上的进水槽(804)与所述冷却水进口(8011)连接,所述出水通道(803)通过开设在所述主轴(500)上的出水槽(805)与所述冷却水出口(8012)连接。
10.根据权利要求1所述的微波等离子体化学气相沉积装置,其特征在于,还包括抽真空装置(900),与所述反应腔(200)连接。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的