[实用新型]MEMS芯片和MEMS传感器有效
申请号: | 202021593913.6 | 申请日: | 2020-08-04 |
公开(公告)号: | CN211570111U | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 詹竣凯;罗松成;李承勲 | 申请(专利权)人: | 共达电声股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/04 | 分类号: | B81B7/04;H04R19/04 |
代理公司: | 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙) 44373 | 代理人: | 欧阳雪兵 |
地址: | 261000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 芯片 传感器 | ||
1.一种MEMS芯片,包括基底、安装于基底上的振膜和背板,所述基底设背腔,所述振膜包括固定至所述基底的外围部、可相对所述外围部运动的感测部,所述感测部与所述背腔相对,其特征在于:沿所述振膜的振动方向朝向所述振膜投影,所述背腔靠近所述振膜一端的边界的投影位于所述感测部的边界以内。
2.如权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,所述感测部靠近其边界处设若干第二通孔。
3.如权利要求2所述的MEMS芯片,其特征在于,所述第二通孔位于一个或多个同心圆上。
4.如权利要求2所述的MEMS芯片,其特征在于,沿所述振膜的振动方向,所述第二通孔与所述基底的靠近所述背腔的部分至少部分重叠。
5.如权利要求2所述的MEMS芯片,其特征在于,沿垂直振膜的振动方向,所述第二通孔位于所述背腔边界外侧。
6.如权利要求2至5任一项所述的MEMS芯片,其特征在于,沿垂直振膜的振动方向,所述第二通孔到所述背腔边界的距离为5~20um。
7.如权利要求2至5任一项所述的MEMS芯片,其特征在于,沿垂直振膜的振动方向,所述第二通孔到感测部边界的距离为10-50um。
8.如权利要求1所述的MEMS芯片,其特征在于,沿所述振膜的振动方向朝向所述振膜投影,所述背腔的投影面积小于所述感测部的面积。
9.如权利要求8所述的MEMS芯片,其特征在于,所述背腔为圆柱形,所述感测部为圆形,所述背腔的直径小于所述感测部的直径。
10.一种MEMS传感器,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的MEMS芯片。
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