[实用新型]半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备中的基座，用于承载衬底，所述基座包括基座本体和设置在所述基座本体中用于容纳所述衬底的容纳槽，其特征在于，所述容纳槽中设置有支撑部和环形凹槽，其中，所述支撑部用于支撑所述衬底，且所述支撑部与所述衬底接触的上端面上设置有弧形凹陷；所述环形凹槽沿所述容纳槽的内周壁环绕设置在所述支撑部的周围，所述支撑部的径向尺寸小于所述衬底的径向尺寸，所述支撑部在支撑所述衬底时，所述衬底的预设宽度的边缘部分悬于所述环形凹槽上方。

2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述环形凹槽的外周壁与所述容纳槽的内周壁平齐，所述环形凹槽的宽度的取值范围为L(D-d)/2+s，其中，L为所述环形凹槽的宽度，D为所述容纳槽的直径，d为所述衬底的直径，s为所述预设宽度。

3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述环形凹槽的槽底与所述弧形凹陷的弧底平齐。

4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述弧形凹陷的底部开设有导流槽，所述导流槽分别与所述弧形凹陷和所述环形凹槽连通，用于将所述弧形凹陷中的气体导流至所述环形凹槽中。

5.根据权利要求4所述的基座，其特征在于，所述弧形凹陷的底部开设有多条所述导流槽，多条所述导流槽以所述弧形凹陷的轴线为中心呈放射状分布。

6.根据权利要求5所述的基座，其特征在于，多条所述导流槽之间相互连通。

7.根据权利要求4所述的基座，其特征在于，所述导流槽的槽底与所述弧形凹陷的弧底平齐。

8.根据权利要求7所述的基座，其特征在于，所述导流槽的深度的取值范围为0.1mm-0.2mm。

9.根据权利要求4所述的基座，其特征在于，所述导流槽的宽度的取值范围为bD-d，其中，b为所述导流槽的宽度，D为所述容纳槽的直径，d为所述衬底的直径。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的基座，所述基座用于承载衬底。