[实用新型]预制熔接式电缆绝缘接头有效
申请号: | 202021609466.9 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN213185464U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 廉宏程;林培斌;夏云杰;刘夏;吕殿泉;罗继宏 | 申请(专利权)人: | 瑞邦电力科技有限公司 |
主分类号: | H02G15/08 | 分类号: | H02G15/08;H01R4/70;H01R13/6581 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 俞梁清 |
地址: | 519000 广东省珠海市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预制 熔接 电缆 绝缘 接头 | ||
本实用新型公开了一种预制熔接式电缆绝缘接头及其制造方法,并公开了接头导体连接层、内半导电连接层、绝缘恢复层、第一绝缘恢复层、第二绝缘恢复层、第一外半导电层和第二外半导电层;通过预先室内制作好各层的预制膜片或者模块,再到施工现场进行逐层恢复,可以避免现场施工的不可控因素和恶劣的环境对接头质量的影响,此外,在第一预制绝缘模块沿轴向开设有环形槽,在环形槽内设置环形预制外半导体模片,再与第二预制绝缘模块一起进行加热加压,不仅能够实现第一半导电层、第一、第二绝缘恢复层的一次性一体成型,还能够同步实现第一半导电层埋设在第一绝缘恢复层中的结构,进一步可以将接头恢复的时间缩短到2‑3小时,提高制作的效率。
技术领域
本实用新型涉及高压电力电缆连接件,特别涉及一种预制熔接式电缆绝缘接头。
背景技术
由于电力电缆的生产技术、场地、运输等因素的限制,电力电缆一般的长度为500~1000米/卷,但是,城市地下电网、发电站的引出线路、工矿企业的内部供电及过江、过海的水下输电线路很长,所以必需把每卷电力电缆连接起来,以满足输电的要求。
目前,中压和高压领域电缆连接接头通常是在现场施工连接形成的,内半导电层、第一、第二外半导电层通常先在导体上绕包半导电包带,再接着采用与电缆绝缘层材料相同的交联聚乙烯硫化带进行绕包恢复后,受现场环境的影响,接头的质量得不到保证,容易出现电场外漏的情况;
此外,绝缘层的恢复采用与电缆绝缘相似的交联聚乙烯料模注成型,与电缆绝缘层和屏蔽层融熔一体,该方式虽然减小了环境因素对接头质量的影响,也将施工时间缩短到了5-7小时,但是施工过程需要配套挤注机、温度监控装置等设备,挤出过程中机身中的材料温度难以控制易出现焦烧现象,现场又不具备清理挤出机的条件接头质量有一定的分散性。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种预制熔接式电缆绝缘接头,能够通过预制恢复模块进行现场恢复,避免现场施工的不可控因素,同时缩短工艺流程和时间,提高产品质量和安全性能。
根据本实用新型的第一方面实施例的一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,包括:导体连接层,由两段需要续接的导体连接形成;内半导电连接层,设置在所述导体连接层外表面,并与需要续接或修复的两端电缆本体的内半导电层融熔结合;第一绝缘恢复层,设置在所述内半导电连接层外表面,其中一端与需要续接或修复的一端电缆本体的绝缘层融熔结合并交联;第二绝缘恢复层的一端与电缆本体的绝缘层融熔结合并交联,另一端与第一绝缘恢复层融熔结合并交联;第一外半导电层,至少靠近所述第二绝缘恢复层的一端埋设在所述第一绝缘恢复层内;第二外半导电层,设置在所述第二绝缘恢复层外表面,并可延伸至所述第一绝缘恢复层外表面,所述第一外半导电层与所述第二外半导电层沿轴向方向部分重叠或者相邻端面平齐,所述重叠的部位或者相邻端面平齐部位沿径向方向断开。
根据本实用新型实施例的一种预制熔接式电缆绝缘接头,至少具有如下有益效果:通过设置第一、第二绝缘层,第一、第二外半导电层,且第一外半导电层,至少靠近所述第二绝缘恢复层的一端埋设在所述第一绝缘恢复层内;第二外半导电层,设置在所述第二绝缘恢复层外表面,并可延伸至所述第一绝缘恢复层外表面,所述第一外半导电层与所述第二外半导电层沿轴向方向部分重叠或者相邻端面平齐,所述重叠的部位或者相邻端面平齐部位沿径向方向断开,该结构可以使从第一外半导电层出来的场强被第二外半导电层拦截,进而防止场强外漏与外屏蔽形成通路引发安全事故;
根据本实用新型的一些实施例,所述第一外半导电层与所述第二外半导电层所述重叠的部位或者所述相邻端面平齐的部位用绝缘断开。
根据本实用新型的一些实施例,所述内半导电连接层为由预制的半导体模片安装在导体连接层的外围加热加压熔融结合形成的与需要续接或修复的两段电缆本体内半导电层完全相同的内半导电层结构;预先制作的半导体模片在工厂密闭洁净环境内完成制作,在现场将半导体模片复合制作于电缆连接处的电缆线芯上,形成与电缆线芯相一致的导体屏蔽层,等效电缆导体屏蔽场强的均匀分布。
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