[实用新型]清洗装置

说明书

本公开提供了一种清洗装置，该清洗装置包括：机架；支架，设置在机架上，用于承载晶圆；喷洗模块，设置在机架上，用于向晶圆的表面施加清洗液；控制模块，用于控制喷洗模块；其中，喷洗模块包括第一喷洗单元和第二喷洗单元，第一喷洗单元和第二喷洗单元分别用于向晶圆的一侧表面施加清洗液，控制模块可单独控制第一喷洗单元和第二喷洗单元。通过控制模块分别控制第一喷洗单元和第二喷洗单元，实现了对晶圆正面和背面的清洗液的供给以及流量的差异性控制，减少了晶圆清洗效果不佳以及在清洗过程中晶圆表面受损影响产品质量等问题的发生，使得清洗液的提供更具针对性，提高了清洗效果，减少了清洗液的浪费，有助于提高最终的产品质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种晶圆的清洗装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及最求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(闪存和3DNAND闪存。

同时，为了提高三维(3D)闪存存储器的性能，要求三维(3D)闪存存储器的尺寸日益减小，而由于尺寸日益减小的三维(3D)闪存存储器的多层互连或填充深度较大的沉积过程导致了晶圆(Wafer)表面过大的起伏，降低了整个晶圆上线宽的一致性。因此，在三维(3D)闪存存储器结构的制作过程中，往往要采用化学机械研磨工艺(ChemicalMechanicalPolish，CMP)对晶圆表面进行平坦化处理，然而晶圆CMP工艺后表面残留有机化合物、颗粒和金属杂质等表面污物，而表面污物将影响晶圆的下一道工艺，进而严重损害晶圆的性能和可靠性。为此，需要在CMP工艺后对晶圆进行清洗以除去其表面污物。

目前清洗装置主要采用双面机械刷洗(Brush Scrubbing)，清洗过程中，晶圆置于中间，由喷洗模块分别向晶圆的两面提供清洗液，再由分别位于晶圆两侧的一对可旋转的刷子刷洗晶圆表面。目前喷洗模块仅由单个阀门控制，只能实现同时向晶圆的两面提供清洗液或切断清洗液供给，无法实现清洗液对于晶圆正面和背面的差异性供应，导致清洗液只能同时提供给晶圆正面和背面或同时关闭，由于晶圆的正面和背面可能经过的加工工艺并不相同，完全相同的正面和背面的清洗液供给可能会导致晶圆在清洗过程中，其一侧表面的结构受损，或清洗效果不佳，最终影响产品质量。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种清洗装置，可以解决清洗过程中无法分别对晶圆的正面和背面的清洗液提供差异性供应的情况，减少了晶圆清洗效果不佳以及在清洗过程中晶圆表面受损影响产品质量等问题的发生。

根据本实用新型的实施例，提供一种清洗装置，用于清洗加工后的晶圆，该清洗装置包括：机架；支架，设置在所述机架上，用于承载晶圆；喷洗模块，设置在所述机架上，用于向晶圆的表面施加清洗液；控制模块，用于控制所述喷洗模块；其中，所述喷洗模块包括第一喷洗单元和第二喷洗单元，所述第一喷洗单元和所述第二喷洗单元分别用于向晶圆的一侧表面施加清洗液，所述控制模块可单独控制所述第一喷洗单元和所述第二喷洗单元。

优选地，所述第一喷洗单元和所述第二喷洗单元对称设置在晶圆的两侧。

优选地，所述支架包括滚轮，所述滚轮与晶圆的侧边相接触，至少部分所述滚轮转动以驱动晶圆旋转。

优选地，上述清洗装置还包括：至少一对刷子，所述至少一对刷子可旋转地设置在所述机架上，以将晶圆夹在它们之间刷洗晶圆表面。

优选地，所述至少一对刷子的每一对轴线相互平行，所述刷子包括刷子主体以及位于刷子主体表面上的多个凸起。

优选地，所述至少一对刷子上还设置有传感器，所述传感器用于监测所述至少一对刷子旋转的扭矩。

优选地，所述清洗液包括HF、NH₄OH和去离子水中的至少一种。