[实用新型]一种反应室4寸石墨盘防飞脱的装置

说明书

本实用新型公开了一种反应室4寸石墨盘防飞脱的装置，包括晶圆，所述晶圆上设置有凹槽，所述凹槽设有角度13～15度的缩口，所述晶圆的底部设置有圆弧。本实用新型当在高温生长阶段，晶圆不会产生乔曲，此时搭配上整体行星式运转转速很高，可以减少晶圆产生飞脱。

技术领域

本实用新型涉及金属有机化合物化学气相沉积设备领域，特别涉及一种反应室4寸石墨盘防飞脱的装置。

背景技术

半导体薄膜有机金属化学气相沉积(metal organic chemical vapordeposition,MOCVD)或称有机金属气相磊晶(metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)技术发展已逾卅年，目前已可利用气相磊晶技术制备IV族材料如钻石薄膜、碳化硅、介电材料如二氧化硅(SiO2)与氮化硅(Si3N4)、金属薄有机金属化学气相沉积(MOCVD)或称气相磊晶(MOVPE)系制备化合物半导体薄膜之重要制程。

膜如钨(W)、铜(Cu)、金属化合物(intermetalliccompounds)、III-V、II-VI族以及各种化合物半导体薄膜材料，尤其是III-V族化合物半导体如砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)等与蓝绿光发光二极管(light emitting diode,LED)、雷射相关之主流光电薄膜材料均以MOCVD制程磊晶生成。

鉴于MOCVD磊晶制程生成不同的薄膜材料均有不同的磊晶制程，现有的石墨小盘设计底面为平面设计；当在高温生长阶段，补底会产生乔曲，此时搭配上整体行星式运转转速很高，乔曲的补底容易产生离心现象是产生飞片的主因。

鉴于此，实有必要设计一种新的方案以改善上述磊晶制程飞片问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种反应室4寸石墨盘防飞脱的装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种反应室4寸石墨盘防飞脱的装置，包括晶圆，所述晶圆上设置有凹槽，所述凹槽设有角度13～15度的缩口，所述晶圆的底部设置有圆弧。

本实用新型的技术效果和优点：当在高温生长阶段，晶圆不会产生乔曲，此时搭配上整体行星式运转转速很高，可以减少晶圆产生飞脱。

附图说明

图1为本实用新型的正面结构示意图。

图2为本实用新型的剖面结构示意图。

图中：1、晶圆；2、凹槽；3、圆弧。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1-2所示的一种反应室4寸石墨盘防飞脱的装置，包括晶圆，所述晶圆1上设置有凹槽，所述凹槽2设有角度13～15度的缩口，所述晶圆的底部设置有圆弧3。

本实用新型工作原理：反应室石墨盘(4寸)防飞脱的装置包含一个4寸的晶圆1，凹槽2并带有角度13～15度的缩口，底部为往外围往中心下降的斜率形成一凹面10～20um，可以很好的减少晶圆产生飞脱。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。