[实用新型]一种应用于多端口电能路由器的高频全桥DC/DC控制机构

权利要求书

1.一种应用于多端口电能路由器的高频全桥DC/DC控制机构，包括第一全桥电路、第二全桥电路和变压器(Tr)，其特征在于：

所述第一全桥电路的一端与变压器(Tr)的高压侧连接；所述第一全桥电路的另一端连接有电容C1；

所述第二全桥电路的一端与变压器(Tr)的低压侧连接；所述第二全桥电路的另一端连接有电容C2；

所述第一全桥电路与变压器(Tr)之间串联有一电感(L1)；所述第二全桥电路与变压器(Tr)之间串联有一电感(L2)；所述第二全桥电路与电容C2之间串联有一电感(Lr)；

所述第一全桥电路的驱动信号与第二全桥电路的驱动信号通过互锁电路互锁。

2.根据权利要求1所述的一种应用于多端口电能路由器的高频全桥DC/DC控制机构，其特征在于，所述第一全桥电路由第一MOSFET管(a1)、第二MOSFET管(a2)、第三MOSFET管(a3)、第四MOSFET管(a4)组成；

所述变压器(Tr)的高压侧一端接入到第一MOSFET管(a1)的源极和第二MOSFET管(a2)的漏极之间；所述变压器(Tr)的高压侧另一端接入到第三MOSFET管(a3)的源极和第四MOSFET管(a4)的漏极之间。

3.根据权利要求1所述的一种应用于多端口电能路由器的高频全桥DC/DC控制机构，其特征在于，所述第二全桥电路由第五MOSFET管(b1)、第六MOSFET管(b2)、第七MOSFET管(b3)、第八MOSFET管(b4)组成；

所述变压器(Tr)的低压侧一端接入到第五MOSFET管(b1)的源极和第六MOSFET管(b2)的漏极之间；所述变压器(Tr)的低压侧另一端接入到第七MOSFET管(b3)的源极和第八MOSFET管(b4)的漏极之间。

4.根据权利要求2所述的一种应用于多端口电能路由器的高频全桥DC/DC控制机构，其特征在于，所述第一MOSFET管(a1)、第二MOSFET管(a2)、第三MOSFET管(a3)、第四MOSFET管(a4)的驱动信号均为占空比为50％的方波信号。

5.根据权利要求3所述的一种应用于多端口电能路由器的高频全桥DC/DC控制机构，其特征在于，所述第五MOSFET管(b1)、第六MOSFET管(b2)、第七MOSFET管(b3)、第八MOSFET管(b4)的驱动信号均为占空比大于50％的方波信号。