[实用新型]一种超结MOSFET管电路

说明书

本实用新型公开是关于一种超结MOSFET管电路，涉及电气变换装置的零部件技术领域。设置有绕组T1，所述绕组T1与高压电源HV串联，绕组T1与超结场效应管Q1串联接地。本实用新型线路超结场效应管简单、效率高、温升低省掉普通场效应管上的散热器，极大提高生产工艺降低成本，实现自动化作业，可适用于适配器、充电器上。

技术领域

本实用新型公开涉及电气变换装置的零部件技术领域，尤其涉及一种超结MOSFET管电路。

背景技术

MOSFET管全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)，MOSFET管具有热稳定性好、安全工作区大特点。适配器线路采用普通场效应管MOSFET导通电阻大，转换效率低、温度高，需在场效应管上加散热器散热，工艺复杂成本高，无法自动化作业，外形做大后产品不美观。

实用新型内容

为克服相关技术中存在的问题，本实用新型公开实施例提供了一种超结MOSFET管电路。所述技术方案如下：

该超结MOSFET管电路设置有绕组T1，所述绕组T1与高压电源HV串联，绕组T1与超结场效应管Q1串联接地。

在一个实施例中，所述超结场效应管Q1采用PNP三极管，驱动芯片的控制信号输出端接三极管的基极；基极下拉电阻的一端接地，另一端接三极管的基极；受控MOSFET管的控制端接三极管的发射。

在一个实施例中，所述驱动芯片的控制信号输出端通过基极限流电阻接三极管的基极。

在一个实施例中，所述超结场效应管Q1的集电极通过限流电阻接地。

本实用新型公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

1、体积小、温升低省掉场效应管上的散热器、可以自动化工艺生产效率高。

2、极大提高生产工艺降低成本。

当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是本实用新型提供的一种超结MOSFET管电路的原理图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本实用新型所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本实用新型所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本实用新型中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本实用新型所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

该超结MOSFET管电路采用新型超结场效应管MOSFETQ1，导通电阻低、转换效率极高；温升明显低很多，可以省掉普通场效应管上的散热器，极大提高生产工艺降低成本，实现自动化作业。