[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

多个标准单元，所述多个标准单元按行列方向排列成阵列；以及

至少一个隔离单元，所述至少一个隔离单元分别设置在所述多个标准单元中相邻的标准单元之间，从而在所述阵列的行方向上将所述相邻的标准单元彼此隔开，

其中，所述半导体器件还包括沿行方向连续延伸贯穿同一行标准单元和隔离单元的第一半导体结构，

所述隔离单元包括多个第一栅叠层，所述多个第一栅叠层与所述第一半导体结构相交，分别包括第一栅极导体以及夹在所述第一栅极导体和所述第一半导体结构之间的第一栅极电介质，所述多个第一栅叠层的第一栅极导体连接至固定电位以阻断所述第一半导体结构的电流路径。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体结构为选自半导体鳍片、纳米线和纳米面中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构形成P型MOSFET的沟道和源/漏区，所述多个第一栅叠层的第一栅极导体连接至供电端。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体结构形成N型MOSFET的沟道和源/漏区，所述多个第一栅叠层的第一栅极导体连接至接地端。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述隔离单元中，仅形成所述多个第一栅叠层的栅极导体的导电通道和金属连线，所述多个第一栅叠层之间的源漏区处于浮置状态。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述隔离单元中，所述多个第一栅叠层的栅极导体经由所述隔离单元的内部布线互连至固定电位以阻断所述第一半导体结构的电流路径。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括沿行方向连续延伸贯穿同一行标准单元和隔离单元的第二半导体结构，

所述隔离单元还包括多个第二栅叠层，所述多个第二栅叠层与所述第二半导体结构相交，分别包括第二栅极导体以及夹在所述第二栅极导体和所述第二半导体结构之间的第二栅极电介质，

其中，所述第一半导体结构形成P型MOSFET的沟道和源/漏区，所述多个第一栅叠层的第一栅极导体连接至供电端以阻断所述第一半导体结构的电流路径，

所述第二半导体结构形成N型MOSFET的沟道和源/漏区，所述多个第二栅叠层的第二栅极导体连接至接地端以阻断所述第二半导体结构的电流路径。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括沿行方向连续延伸贯穿同一行标准单元和隔离单元的第二半导体结构，

所述隔离单元还包括多个第二栅叠层，所述多个第二栅叠层与所述第二半导体结构相交，分别包括第二栅极导体以及夹在所述第二栅极导体和所述第二半导体结构之间的第二栅极电介质，

其中，所述第一半导体结构形成P型MOSFET的沟道和源/漏区，所述多个第一栅叠层的第一栅极导体连接至供电端以阻断所述第一半导体结构的电流路径，

所述第二半导体结构截断以阻断所述第二半导体结构的电流路径。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述半导体结构包括沟道应力层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述沟道应力层由硅锗组成。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述隔离单元包括至少两个P型MOSFET管、和/或至少两个N型MOSFET管。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述隔离单元包括至少三个P型MOSFET、和/或至少三个N型MOSFET管，

所述至少三个P型MOSFET中位于隔离单元最外侧的两个P型MOSFET的第一栅极导体连接至供电端，位于中间的其余P型MOSFET的第一栅极导体浮置，

所述至少三个N型MOSFET中位于隔离单元最外侧的两个N型MOSFET的第二栅极导体接地，位于中间的其余N型MOSFET的第二栅极导体浮置。