[实用新型]集成电路基板

说明书

一种集成电路基板。所述集成电路基板包括：辅助定位结构以及偏移侦测结构。所述辅助定位结构用于定义钻孔位置。所述偏移侦测结构设置于所述辅助定位结构之上，并相对所述辅助定位结构的中心对称设置。

技术领域

本申请是有关一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路基板。

背景技术

传统上，在对电路板，尤其是多层电路板进行钻孔时，由于钻孔位置由上层的绝缘层(例如树脂)和导电层(例如铜层)所覆盖，无法有效侦测钻孔位置与预设位置是否偏移。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的之一在于提供一种集成电路基板。

依据本申请的一实施例，公开一种集成电路基板。所述集成电路基板包括：辅助定位结构以及偏移侦测结构。所述辅助定位结构用于定义钻孔位置。所述偏移侦测结构设置于所述辅助定位结构之上，并相对所述辅助定位结构的中心对称设置。

依据本申请的一实施例，所述辅助定位结构与所述偏移侦测结构为蚀刻制成结构，并且所述偏移侦测结构包括对称所述辅助定位结构的所述中心设置的两条辅助线。

依据本申请的一实施例，所述两条辅助线为两条朝第一方向延伸的平行线。

依据本申请的一实施例，每一辅助线的线宽在0.075～0.085mm的范围。

依据本申请的一实施例，每一辅助线的线宽为0.08mm。

依据本申请的一实施例，所述两条辅助线的线距是钻孔直径、所述两条辅助线各一半的线宽以及蚀刻所述两条辅助线时在第二方向产生的侧蚀量的总和扣除在所述第二方向允许的最大偏移量，其中所述第一方向与所述第二方向垂直。

依据本申请的一实施例，公开一种集成电路基板。所述集成电路基板包括：基板、第一导电层、绝缘层、第二导电层以及通孔。所述第一导电层形成于所述基板之上。所述第一导电层包括：辅助定位结构以及偏移侦测结构。所述辅助定位结构用于定义钻孔位置。所述偏移侦测结构设置于所述辅助定位结构之上，并相对所述辅助定位结构的中心对称设置。所述绝缘层形成于所述第一导电层之上。所述第二导电层形成于所述绝缘层之上。所述通孔贯穿所述基板、所述第一导电层、所述绝缘层以及所述第二导电层。

依据本申请的一实施例，所述辅助定位结构环绕所述通孔。

依据本申请的一实施例，所述偏移侦测结构与所述通孔部分重叠。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1是依据本申请一实施例之集成电路基板的俯视视图。

图2是依据本申请一实施例之图案化结构的俯视视图。

图3A至图3E是依据本申请一实施例之制造集成电路基板的流程图。

图4是依据本申请一实施例之钻孔作业后图案化导电层的俯视视图。

图5是依据本申请一实施例之集成电路基板制造方法的流程图。

具体实施方式