[实用新型]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202021654940.X | 申请日: | 2020-08-11 |
公开(公告)号: | CN212277199U | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板和显示装置,通过在触控功能层的电极走线上设置带有中空部的绕线结构,可以减小立柱处触控功能层与阴极层之间的寄生电容,进而均衡触控功能层与阴极层之间寄生电容的整体一致性,避免了由于寄生电容不均衡而带来的噪声,有利于提升整体的触控报点率及灵敏度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及触控技术领域,具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
柔性有机发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)显示器具有主动发光、可视角度大、色域宽、亮度高、响应速度快、低功耗,以及结构上可弯曲等优点越来越受到市场的欢迎,有趋势逐渐取代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)成为显示技术的主流。
传统技术方案中的基板一侧设置有像素定义层(PDL,pixel define layer),像素定义层的表面设置有立柱(PS,photo spacer)。在OLED蒸镀过程中,该立柱用于支撑高精度金属掩模板(FMM,Fine Metal Mask),因此,该立柱存在一定的高度,使得其上的阴极层与触控电极层之间的距离变小,增加了寄生电容,导致触控信号受到的容抗和/或阻抗增大,其延时加长,严重影响了立柱投影区域及周边的触控灵敏度及触控报点率等。
实用新型内容
本申请提供一种显示面板和显示装置,解决了由于立柱处阴极层与触控功能层之间的距离变小,导致寄生电容不均衡的问题。
第一方面,本申请提供一种显示面板,其包括:像素定义层;覆盖像素定义层的阴极层;位于像素定义层与阴极层之间的立柱;以及位于阴极层一侧且远离像素定义层的触控功能层,触控功能层设置有电极走线;其中,电极走线构造有带中空部的绕线结构,且中空部与立柱相对应,以降低立柱对应处阴极层与触控功能层之间的寄生电容。
基于第一方面,在第一方面的第一种实施方式中,立柱的正投影与中空部至少部分重叠,或者,中空部的正投影至少部分覆盖立柱。
基于第一方面,在第一方面的第二种实施方式中,绕线结构由第一宽度的电极走线围绕中空部形成;远离中空部的电极走线的宽度被配置为第二宽度,且第一宽度不大于第二宽度。
基于第一方面的第二种实施方式,在第一方面的第三种实施方式中,第一宽度不大于3微米;第二宽度不大于5微米。
基于第一方面的上述任一实施方式,在第一方面的第四种实施方式中,绕线结构与相邻的电极走线电性连接。
基于第一方面的第四种实施方式,在第一方面的第五种实施方式中,中空部设置有与电极走线相绝缘的遮光块。
基于第一方面的第五种实施方式,在第一方面的第六种实施方式中,遮光块的横截面形状与立柱的横截面形状相同。
基于第一方面的第六种实施方式,在第一方面的第七种实施方式中,遮光块的横截面面积不小于立柱的横截面面积的80%,且不大于立柱的横截面面积的120%。
基于第一方面,在第一方面的第八种实施方式中,显示面板还包括多个子像素;且电极走线的正投影位于相邻的子像素之间。
第二方面,本申请提供一种显示装置,其包括:像素定义层;覆盖像素定义层的阴极层;位于像素定义层与阴极层之间的立柱;以及位于阴极层一侧且远离像素定义层的触控功能层,触控功能层设置有第一电极走线和第二电极走线;其中,第一电极走线和/或第二电极走线构造有带中空部的绕线结构,且中空部与立柱相对应,以降低立柱对应处阴极层与触控功能层之间的寄生电容。
本申请提供的显示面板、显示装置,通过在触控功能层的电极走线上设置带有中空部的绕线结构,可以减小立柱处触控功能层与阴极层之间的寄生电容,进而均衡触控功能层与阴极层之间寄生电容的整体一致性,避免了由于寄生电容不均衡而带来的噪声,有利于提升整体的触控报点率及灵敏度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的