[实用新型]一种清洗装置有效
申请号: | 202021655760.3 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN212695125U | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 赖睿彬 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 邵磊;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 | ||
本申请实施例公开一种清洗装置,所述装置包括:清洗腔室及位于所述清洗腔室内的一个或多个承载部件和喷嘴;其中,所述承载部件用于承载晶圆;所述喷嘴与所述承载部件相对设置,用于向所述晶圆喷射清洗流体;所述装置还包括设置在所述喷嘴上的防溅罩,所述防溅罩的下缘与所述承载部件之间的距离可调节。
技术领域
本申请实施例涉及半导体制造领域,特别涉及一种清洗装置。
背景技术
为了有效地清除晶圆表面的残余物、微尘、脏污,需要对晶圆表面进行清洗。目前,通过清洗装置对晶圆进行清洗,在清洗晶圆时,将晶圆置于清洗装置的清洗腔室中,快速旋转晶圆并通过喷嘴喷洒清洗流体以清洗晶圆,然而清洗流体喷洒在晶圆上时会四处飞溅,从而溅射到喷嘴及清洗腔室内部,甚至溅射到喷嘴及清洗腔室内部的清流液体在后续工艺过程中会回落到晶圆上。因此,清洗晶圆时容易对喷嘴、清洗腔室和晶圆造成污染。
实用新型内容
本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种清洗装置。
为达到上述目的,本申请实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种清洗装置,所述装置包括:清洗腔室及位于所述清洗腔室内的一个或多个承载部件和喷嘴;其中,
所述承载部件用于承载晶圆;
所述喷嘴与所述承载部件相对设置,用于向所述晶圆喷射清洗流体;
所述装置还包括设置在所述喷嘴上的防溅罩,所述防溅罩的下缘与所述承载部件之间的距离小于所述喷嘴的下缘与所述承载部件之间的距离。
第二方面,本申请实施例提供一种清洗装置,所述装置包括:清洗腔室及位于所述清洗腔室内的一个或多个承载部件和喷嘴;其中,
所述承载部件用于承载晶圆;
所述喷嘴与所述承载部件相对设置,用于向所述晶圆喷射清洗流体;
所述装置还包括设置在所述喷嘴上的防溅罩,所述防溅罩的下缘与所述承载部件之间的距离可调节。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩的侧壁从所述防溅罩的上缘到所述下缘向远离所述喷嘴的方向倾斜,所述防溅罩的侧壁与所述喷嘴的中轴线的夹角可调节。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩的侧壁与所述喷嘴的中轴线的夹角可基于流体参数实时调节。
在一种可选的实施方式中,所述承载部件上包括导流槽,用于回收所述清洗流体。
在一种可选的实施方式中,所述多个承载部件呈中心对称排布。
在一种可选的实施方式中,所述清洗装置还包括:与所述喷嘴连接的清洗管道,所述清洗管道带动所述喷嘴在所述承载部件的中心和所述承载部件的边缘之间往复移动。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩的上缘高于所述喷嘴的下缘。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩通过所述防溅罩的上缘与所述喷嘴连接。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩与所述喷嘴为可拆卸连接。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩的下缘与所述承载部件间的距离的范围为2mm-15mm。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩的轴向截面垂直于所述承载部件的上表面。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩包括导流部,所述导流部用于将所述防溅罩遮挡的清洗流体导流至所述晶圆上。
在一种可选的实施方式中,所述防溅罩还包括遮挡部,所述遮挡部的侧壁从所述遮挡部的上缘到所述遮挡部的下缘向远离所述喷嘴的方向倾斜;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造