[实用新型]一种光刻系统及其基片交接系统

说明书

本实用新型涉及一种光刻系统及其基片交接系统，所述光刻系统包括对位机构、曝光机构和工作台，所述工作台包括至少两个容置槽，所述容置槽用于承载基片，所述对位机构用于对置于所述容置槽的基片进行对位处理，所述曝光机构对置于所述容置槽的基片进行直写曝光处理。所述基片交接系统包括片库、预处理台、中转台、上片机械手、中转机械手，所述上片机械手在所述片库、所述预处理台和所述中转台之间转移基片，所述中转台放置对应于所述工作台放置预处理完成的基片，所述中转机械手同时抓取预处理完成的基片放置于所述工作台。提高曝光，率使整个光刻系统的运行效率达到最大化，显著提高了光刻系统的产能。

技术领域

本实用新型涉及一种光刻系统，尤其是针对半导体基片的光刻系统及其基片交接系统。

背景技术

光刻系统是用于制作集成电路芯片的重要组成部分，其用于在半导体基片上曝光转印集成电路芯片所需的图形。而集成电路芯片相较于印刷电路板而言，对于光刻系统的定位精度和分辨率等指标要求更高。

目前，半导体材料及特殊陶瓷材料制成的基片实现图形的曝光转印通常利用掩模板，首先在掩模板上制作需要的图形，然后将掩模板置于基片的上方，曝光机构产生的光线通过掩模板透射到基片，从而将掩模板的图像转印到基片上。通过掩模板实现曝光转印的方式，需要根据不同的曝光图形制作不同的掩模板，掩模板精度要求高，制作周期长，且储存条件要求高，导致成本很高。同时，使用掩模板，导致对位效率低，过程复杂，较难实现一次曝光多个基片，且产能无法满足日益增长的应用需求量的提升。

此外，市面上最常见的单片式单台面光刻机由于其每次仅能够完成一个基片的上料与光刻处理，其产能已完全无法满足需求；而新出现的部分双台面的光刻系统，试图通过两个台面的位置交换来提高其生产率，但此类系统在台面位置进行交换时控制方式过于复杂，稳定性难以保障，且系统成本较高，并且每个台面每次也是仅完成单个基片的光刻处理，并不能适应当下的发展趋势。因此，现有技术中需要一种光刻系统实现半导体材料及特殊陶瓷材料的高产能曝光加工。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种光刻系统及基片交接系统，以克服或减少现有光刻系统中存在的上述问题或缺陷。

为实现上述目标，本实用新型采用如下的技术方案：

一种光刻系统，其包括曝光机构和对位机构，所述光刻系统还包括工作台，所述工作台包括至少两个容置槽，所述容置槽用于承载基片，所述对位机构用于对置于所述容置槽的基片进行对位处理，所述曝光机构对置于所述容置槽的基片进行直写曝光处理。

进一步的，所述容置槽呈M行N列的矩阵式排列，所述M和N为自然数。

进一步的，所述M和N为2的倍数。

进一步的，所述工作台替换为M/2行N/2列容置槽工作台，所述M/2行N/2列中单个容置槽的直径为M行N列中容置槽中单个容置槽直径的两倍。

进一步的，所述对位机构包括置于所述工作台上方的对位相机。

进一步的，所述对位机构包括置于所述工作台下方的视觉测试模块。

进一步的，所述曝光机构包括若干个曝光镜头，相邻的所述曝光镜头错位排列。

进一步的，所述工作台包括第一工作台和第二工作台，所述第一工作台和所述第二工作台置于所述曝光机构的两侧，分别移动至曝光机构进行曝光操作。

进一步的，对应于所述第一工作台和所述第二工作台，在所述曝光机构两侧分别设置第一对位机构和第二对位机构，所述第一对位机构用于对所述第一工作台上的基片进行对位，所述第二对位机构对所述第二工作台的基片进行对位。