[实用新型]一种夹装部件有效
申请号: | 202021676162.4 | 申请日: | 2020-08-12 |
公开(公告)号: | CN212412031U | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 廖开举 | 申请(专利权)人: | 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 宋薇薇;张腾 |
地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 部件 | ||
本实用新型提供一种夹装部件。所述夹装部件包括:三轴移动模组,所述三轴移动模组包括X轴移动机构、Y轴移动机构和Z轴移动机构,其中所述X轴移动机构设置在所述Y轴移动机构上,所述Y轴移动机构设置在所述Z轴移动机构上;设置在所述三轴移动模组的所述Z轴移动机构上的旋转组件;以及设置在所述旋转组件上的用于夹持物体的机械手臂。本实用新型提供的夹装部件允许夹持的晶圆转动,由此能够保证晶圆在蚀刻槽中蚀刻时各部分的蚀刻速率或蚀刻程度基本一致。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备领域,尤其涉及一种夹装部件。
背景技术
在半导体制造领域,经常使用蚀刻速率和蚀刻非均匀性来表示蚀刻程度。其中蚀刻速率是用来测量物质从晶圆表面被移除的速率,通常用Δd/t表示,其中Δd为蚀刻厚度变化埃,t为蚀刻时间,例如每分钟(min)。此外,蚀刻非均匀性(Non-uniformity,NU)可由下列方程式计算,所称蚀刻非均匀性NU(%)=(E max-E min)/(2E ave)×100%。其中E max为量测最大蚀刻速率,E min为量测最小蚀刻速率,E ave为平均蚀刻速率。蚀刻非均匀性NU的值越小,代表晶圆表面任一点的蚀刻速率越接近平均蚀刻速率。
在现有技术中,通常是由夹抓一次性夹持多个晶圆放到盛装有蚀刻液的蚀刻槽中,为避免影响蚀刻液的流动性,夹抓将晶圆放置到蚀刻槽中的晶圆托盘上后会先行移出蚀刻槽,待一定时间后将晶圆从蚀刻槽中取出。由于晶圆进出蚀刻槽的方向固定,造成晶圆上半部分与蚀刻液接触时间始终小于晶圆下半部分与蚀刻液接触时间,晶圆蚀刻程度不一致,导致晶圆后期性能不均匀。
图1示意性地示出了现有技术中的这种情况,其中1为晶圆,2为蚀刻槽,3为蚀刻液。在进行蚀刻时,通过夹抓(未示出)将晶圆1沿进槽方向A垂直放置到蚀刻槽中;在蚀刻结束后,再次通过夹抓将晶圆1沿出槽方向B垂直取出。由于晶圆下半部分先进入蚀刻槽且后从蚀刻槽移出,而晶圆上半部分后进入蚀刻槽且先从蚀刻槽中移出,导致晶圆上半部分与蚀刻液接触时间始终小于晶圆下半部分与蚀刻液接触时间,进而导致晶圆上半部分的蚀刻速率小于晶圆下半部分的蚀刻速率。
鉴于此,本领域急需一种能够改善晶圆蚀刻均匀性的装置及方法。
实用新型内容
为解决现有技术的问题,本实用新型提出一种使晶圆蚀刻均匀的夹装部件。
基于上述目的,采用如下技术方案:
根据本实用新型,提供一种夹装部件,所述夹装部件包括:
三轴移动模组,所述三轴移动模组包括X轴移动机构、Y轴移动机构和Z轴移动机构,其中所述X轴移动机构设置在所述Y轴移动机构上,所述Y轴移动机构设置在所述Z轴移动机构上;
设置在所述三轴移动模组的所述Z轴移动机构上的旋转组件;以及
设置在所述旋转组件上的用于夹持物体的机械手臂。
根据本实用新型的一个实施例,所述X轴移动机构、所述Y轴移动机构和所述Z轴移动机构均包括导轨、沿所述导轨移动的滑块以及驱动所述滑块沿所述导轨移动的驱动部件,其中所述X轴移动机构的所述滑块连接到所述Y轴移动机构的导轨,所述Y轴移动机构的所述滑块连接到所述Z轴移动机构的所述导轨。
根据本实用新型的一个实施例,所述旋转组件设置在所述Z轴移动机构的所述滑块上。
根据本实用新型的一个实施例,所述旋转组件包括传动组件、驱动所述传动组件旋转的驱动部件以及与所述传动组件连接以随着所述传动组件旋转的转盘,其中所述机械手臂与所述转盘固定连接。
根据本实用新型的一个实施例,所述传动组件包括由所述驱动部件驱动的主动轮、与所述主动轮啮合的8字形齿轮组以及与所述8字形齿轮组啮合的传动齿轮,所述8字形齿轮组包括彼此啮合的上齿轮和下齿轮,其中所述转盘与所述传动齿轮连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造