[实用新型]一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器

说明书

本实用新型提供一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器，其包括下层板，所述下层板上竖直设置有矩形柱，以及T形路径，所述矩形柱沿所述T形路径外侧边均匀分布形成阻隔壁，所述下层板上设置有调谐柱，所述矩形柱上方设置有上层板；本实用新型采用MEMS半导体加工工艺代替传统的纯金属结构，在拥有更高的加工精度的同时，减少了金属用量，降低了功分器的重量，实现了结构的轻量化。另一方面基于MEMS工艺的功分器所使用的的介质基底与集成电路相同，易于与其它器件集成在一起。

技术领域

本实用新型涉及太赫兹功分器技术领域，特别是，涉及一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器。

背景技术

MEMS工艺由集成电路工艺发展而来，适用于大规模、低成本的加工制作，精度可以达到微米甚至纳米量级，为太赫兹频段微波器件的加工提供了一种解决方案。但是MEMS工艺所使用的的半导体材料介质损耗较高，不能直接应用于太赫兹频段的电磁波传输。而且多层结构半导体基片之间需要特殊的键合工艺进行键合连接。目前，随着频率的升高，介质材料的介质损耗会逐渐增加，在太赫兹频段，介质损耗将极大地限制微波系统的性能。金属矩形波导是目前损耗最低、功率容量最大的传输线结构，但是矩形波导一般通过两层结构分别加工再组装的形式实现，两层结构之间需要严格的电接触以防止电磁能量的泄露，对于加工组装的精度要求较高，尤其到了太赫兹频段，一些微小结构已经触及了金属加工的极限，而且高精度的金属加工成本及其昂贵，纯金属的结构也导致微波器件重量较大。

实用新型内容

本部分的目的在于概述本实用新型的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和实用新型名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和实用新型名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本实用新型的范围。

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中在太赫兹频段纯金属功分器加工成本高、重量大、不易于集成的缺陷，从而提供一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器。

为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器，其包括下层板，所述下层板上竖直设置有矩形柱，以及T形路径，所述矩形柱沿所述T形路径外侧边均匀分布形成阻隔壁，所述下层板上设置有调谐柱，所述矩形柱上方设置有上层板。

作为本实用新型所述一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器的一种优选方案，其中：所述阻隔壁平行设置有两层，所述T形路径包括输入口以及输出口，所述T形路径中心对称，所述调谐柱设置在对称轴上。

作为本实用新型所述一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器的一种优选方案，其中：所述矩形柱高度为0.6mm，长度和宽度为0.2mm，相邻两个所述矩形柱之间设置有第一间隙，所述第一间隙为0.2mm。

作为本实用新型所述一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器的一种优选方案，其中：所述矩形柱与所述上层板之间设置有第二间隙，所述第二间隙高度小于四分之一波长。

作为本实用新型所述一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器的一种优选方案，其中：所述下层板与上层板采用螺丝连接。

作为本实用新型所述一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器的一种优选方案，其中：所述调谐柱包括第一调谐柱以及第二调谐柱。

作为本实用新型所述一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器的一种优选方案，其中：所述上层板与所述下层板采用硅材料，所述下层板进行蚀刻处理，所述上层板进行镀金处理。

作为本实用新型所述一种基于MEMS工艺的间隙波导功分器的一种优选方案，其中：所述上层板、下层板以及阻隔壁之间形成空腔M，所述空腔M内传输介质为空气。