[实用新型]一种半导体级直拉复投筒

权利要求书

1.一种半导体级直拉复投筒，包括筒本体、钼杆和置于所述筒本体下端的主石英伞，其特征在于，在所述钼杆上且位于所述主石英伞上方还设有副石英伞；所述主石英伞上还设有用于隔离钼杆和硅料并贯穿所述副石英伞设置的石英筒；所述筒本体上端面设有用于调节所述主石英伞和所述副石英伞升降位置的定位组件。

2.根据权利要求1所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述筒本体为双层结构，包括外层筒和与所述外层筒内壁相适配的内层筒，所述内层筒厚度是所述外层筒厚度的1/4-1/3。

3.根据权利要求2所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述内层筒下端面内嵌固设于置于所述外层筒内壁的卡槽内，所述卡槽靠近所述主石英伞一端，且距离所述外层筒下端面100-200mm。

4.根据权利要求2或3所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述外层筒厚度为10-20mm。

5.根据权利要求4所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述副石英伞置于所述筒本体下段部远离所述主石英伞一端设置，且所述副石英伞位于设置在所述筒本体外壁下法兰台位置高度的1/4-3/4。

6.根据权利要求5所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述副石英伞为圆台形结构，其大径端靠近所述主石英伞一侧设置，且所述副石英伞母线角度为30-60°。

7.根据权利要求5或6所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述副石英伞大径端直径是所述内层筒内径的1/3-1/2。

8.根据权利要求7所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述外层筒与所述下法兰台连接处的变径横截面为菱形结构。

9.根据权利要求5-6、8任一项所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，所述定位组件包括定位板和对称设置的限位栓，所述限位栓设置在所述筒本体外壁上端面的上法兰台直径两端，所述限位栓两端分别与所述定位板和所述上法兰台；所述石英筒上端面被设置与所述定位板连接。

10.根据权利要求9所述的一种半导体级直拉复投筒，其特征在于，在所述上法兰台和所述下法兰台之间还设有若干均匀设置的支撑杆。