[实用新型]一种晶圆片高温处理用承载装置有效
申请号: | 202021696677.0 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN212874439U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 李睿;杨强;王淼;马飞 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片 高温 处理 承载 装置 | ||
1.一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,具有两相对设置的端板,在两所述端板之间至少设有两组间隔设置的支杆一和支杆二,所述支杆一置于所述端板下段部,所述支杆二位于所述支杆一的上方;两个所述支杆一之间的宽度小于两个所述支杆二之间的宽度,且两个所述支杆二之间的宽度小于或等于最大径晶圆片的直径;两个所述支杆一与最小径所述晶圆片圆心的夹角不大于45°。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,两个所述支杆二之间的宽度等于最大径所述晶圆片的直径;且两个所述支杆一与最小径所述晶圆片圆心的夹角为30°。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,还包括置于所述支杆一和所述支杆二之间的两个支杆三,两个所述支杆一、两个所述支杆二、两个所述支杆三与所述端板的连接点构成弧形结构,所述弧形与最大径所述晶圆片同心设置。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,两个所述支杆三之间的宽度大于两个所述支杆二之间宽度的1/2且小于两个所述支杆二之间宽度的4/5。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,所述支杆一、所述支杆二和所述支杆三均为圆柱型结构,且其靠近所述晶圆片一侧设有若干与所述晶圆片相适配的卡槽。
6.根据权利要求4-5任一项所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,两个所述端板结构相同;所述端板下端面为平整面,设有若干组开口朝外且对称设置的凹槽;所述凹槽深度低于所述支杆一的位置高度。
7.根据权利要求6所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,所述端板下端面的两侧均设有倒角,所述倒角高度高于所述支杆一的高度且小于所述支杆三的高度。
8.根据权利要求1-2、4-5、7任一项所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,其中一个所述端板远离所述支杆一侧面设有把手,所述把手与所述端板垂直或倾斜设置。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,所述把手置于所述端板上段部且靠近高度方向的中间一侧设置;所述把手为圆弧结构或L型结构。
10.根据权利要求1-2、4-5、7、9任一项所述的一种晶圆片高温处理用承载装置,其特征在于,所述晶圆片最大直径为320mm,最小直径为200mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造