[实用新型]外延结构及应用其的半导体芯片有效
| 申请号： | 202021705512.5 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN213212654U | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郑兆祯;丁新琪;涂庆明 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 结构 应用 半导体 芯片 | ||
1.一种外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次层叠设置的量子阱结构、P型接触层以及电极层；
其中，所述P型接触层包括呈台阶状设置的第一台阶部与第二台阶部，所述第二台阶部相对所述第一台阶部更靠近所述量子阱结构；
其中，所述第一台阶部与第二台阶部填充有第一绝缘部。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述第一台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度大于所述第二台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度。
3.根据权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述第二台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度大于或等于1um，小于或等于30um。
4.根据权利要求1-3任一项所述的外延结构，其特征在于，所述第一台阶部沿所述P型接触层与电极层的层叠方向上的高度大于所述第二台阶部沿所述P型接触层与电极层的层叠方向上的高度。
5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述第二台阶部沿所述P型接触层与电极层的层叠方向上的高度大于或等于1nm，小于或等于100nm。
6.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述电极层包括与所述第一台阶部呈台阶状设置的第三台阶部，所述第三台阶部填充有第二绝缘部。
7.根据权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述第三台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度大于所述第一台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度。
8.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括设置于所述P型接触层与所述量子阱结构之间的P型覆盖层以及第一波导层。
9.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括依次设置于所述量子阱结构远离所述P型接触层的一侧的第二波导层、N型覆盖层以及N型衬底。
10.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括基板以及权利要求1-9中任一项所述的外延结构，所述外延结构设置于所述基板上。
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