[实用新型]功率MOS半导体器件

说明书

本实用新型公开一种功率MOS半导体器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上；所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；所述陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。本实用新型降既增加了和热交换的面积，也便于热量扩散，充分发挥了功率MOS大功率的优势。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率MOS半导体器件。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型。由于场效应管工作温度较高，且散热效果不好。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种功率MOS半导体器件，该功率MOS半导体器件既增加了和热交换的面积，也便于热量扩散，充分发挥了功率MOS大功率的优势。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种功率MOS半导体器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，此源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；

所述陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；

所述MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；

所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；

所述陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，位于MOSFET芯片背面的漏极区与导电块一端电连接。

2. 上述方案中，所述第一导电条、第二导电条平行设置。

3. 上述方案中，所述陶瓷导热本体的导槽的截面形状为弧形。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1. 本实用新型功率MOS半导体器件，其MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接，降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一步提高器件的功率，充分发挥了功率MOS大功率，低功耗的优势；还有，其陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽，既增加了和热交换的面积，也有利于贴装时空气快速流动，从而便于热量扩散。

2. 本实用新型功率MOS半导体器件，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块，源极管脚与第一导电条电连接，漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和本体为一个整体，提高了器件整体结构稳定性。

附图说明

附图1为本实用新型功率MOS半导体器件的结构示意图；