[实用新型]一种滤波器电容耦合增强结构

权利要求书

1.一种滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，包括上盖(1)、底座(2)、谐振器(4)、飞杆耦合片(5)以及飞杆调节螺杆(3)；所述上盖(1)能够与所述底座(2)连接形成一体；所述谐振器(4)一端设置于所述上盖(1)的腔体内；所述谐振器(4)另一端沿竖直方向延伸至所述底座(2)内，并固定在所述底座(2)内；所述谐振器(4)包括第一谐振器和第二谐振器；所述飞杆耦合片(5)一端固定连接于所述第一谐振器上；所述飞杆耦合片(5)另一端向所述第二谐振器延伸，并与所述第二谐振器形成间距；所述飞杆调节螺杆(3)沿竖直方向设置于所述上盖(1)内；所述飞杆调节螺杆(3)沿竖直方向可伸缩调节，从而调节所述飞杆调节螺杆(3)与所述飞杆耦合片(5)的间距。

2.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述飞杆耦合片(5)一端设有L折弯部；所述飞杆耦合片(5)一端焊接固定于所述第一谐振器上；所述飞杆耦合片(5)另一端沿水平方向向所述第二谐振器延伸，并使所述飞杆耦合片(5)的L折弯部与所述第二谐振器形成间距；所述L折弯部在竖直方向上与所述第二谐振器相互平行。

3.根据权利要求2所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述底座(2)内设有支撑柱(13)，所述支撑柱(13)顶部设有支撑件(8)；所述飞杆耦合片(5)一端穿过所述支撑件(8)，并向所述第二谐振器延伸；所述飞杆调节螺杆(3)沿竖直方向伸入所述支撑件(8)内，并可在所述支撑件(8)内伸缩。

4.根据权利要求3所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述支撑件(8)为聚四氟乙烯材料制成；所述支撑件(8)上端面设有沉槽，所述飞杆调节螺杆(3)一端可伸缩设置于所述沉槽内，从而调节所述飞杆调节螺杆(3)与所述飞杆耦合片(5)的间距；和/或，所述飞杆调节螺杆(3)为金属材料制成。

5.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖(1)上设有调谐螺杆(6)；所述调谐螺杆(6)沿竖直方向向所述谐振器(4)内延伸，用于调节所述谐振器(4)的频率。

6.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖(1)内设有上盖腔体(10)，所述底座(2)内设有底座腔体(11)，所述底座腔体(11)内设有螺钉柱(12)；所述谐振器(4)一端设置于所述上盖腔体(10)内，所述谐振器(4)另一端通过固定螺钉(9)固定在所述螺钉柱(12)上；所述飞杆调节螺杆(3)一端穿过所述上盖(1)，并通过螺母(14)锁紧。

7.根据权利要求1所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖(1)的下端面上设有多个定位柱(7)，所述底座(2)的上端面上设有多个定位孔；所述上盖(1)通过所述定位柱(7)固定在所述定位孔内，从而连接成一体。

8.根据权利要求6所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述底座腔体(11)的侧边设有开口(15)，从而使所述底座腔体(11)与外部连通。

9.根据权利要求6所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述上盖腔体(10)包括第一上盖腔体、第二上盖腔体以及第三上盖腔体；所述底座腔体(11)包括第一底座腔体、第二底座腔体以及第三底座腔体；所述谐振器(4)还包括第三谐振器；所述第一上盖腔体与所述第一底座腔体相对设置；所述第二上盖腔体与所述第二底座腔体相对设置；所述第三上盖腔体与所述第三底座腔体相对设置；所述第一谐振器一端设置于所述第一上盖腔体内，所述第一谐振器另一端固定连接于所述第一底座腔体内；所述第二谐振器一端设置于所述第二上盖腔体内，所述第二谐振器另一端固定连接于所述第二底座腔体内；所述第三谐振器一端设置于所述第三上盖腔体内，所述第三谐振器另一端固定连接于所述第三底座腔体内。

10.根据权利要求9所述的滤波器电容耦合增强结构，其特征在于，所述飞杆调节螺杆(3)沿竖直方向位于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间，并与所述第一谐振器和所述第二谐振器处于一个平面上；所述第一谐振器、所述第二谐振器以及所述第三谐振器投影到水平面上的连线为三角形。