[实用新型]一种高精度低噪声模拟开关的输入级电路

说明书

本发明公开了一种高精度低噪声模拟开关的输入级电路，包括晶体管MP1和晶体管MN1，所述晶体管MP1的栅极连接晶体管MN1的栅极和输入端IN，晶体管MP1的源极连接晶体管MP2的源极、晶体管MP3的源极和第一参考电源V1，晶体管MP1漏极连接晶体管MN1的漏极、晶体管MP2的栅极和晶体管MN2的栅极，本发明高精度低噪声模拟开关的输入级电路能够实现模拟信号不失真的传输并抑制噪声，并且还能降低模拟开关电路的导通电阻。

技术领域

本发明涉及开关技术领域，具体是一种高精度低噪声模拟开关的输入级电路。

背景技术

近年来，便携式产品越来越多地采用多源设计，因此开关功能是视频、音频传输及处理过程中的一个重要组成部分。早期采用的机械开关具有可靠性低、体积大、功耗大的特点，所以模拟开关引起了越来越多人的重视，并已经被广泛应用于各种电子产品中。

模拟开关是利用模拟器件的特性实现控制信号通路的开关，主要用来完成信号链路连接或断开的切换功能。模拟开关是一种三稳态电路，它可以根据选通控制的电平，决定输入与输出的连接状态。当选通控制处于使能状态时，输入端和输出端导通；当选通控制处于非使能状态时，输入和输出断开，无论输入信号如何变化，模拟开关输出均呈高阻状态。

信号在模拟开关传输过程中一般希望衰减程度尽可能的小，这就要求模拟开关导通时有很低的导通阻抗，在截止时有很大的截止电阻。通常通过增大器件的尺寸来减低导通电阻，但这种方法会带来功耗增大等弊端。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高精度低噪声模拟开关的输入级电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种高精度低噪声模拟开关的输入级电路，包括晶体管MP1和晶体管MN1，所述晶体管MP1的栅极连接晶体管MN1的栅极和输入端IN，晶体管MP1的源极连接晶体管MP2的源极、晶体管MP3的源极和第一参考电源V1，晶体管MP1漏极连接晶体管MN1的漏极、晶体管MP2的栅极和晶体管MN2的栅极，晶体管MN1的源极连接晶体管MN2的源极、第二参考电源V0、晶体管MN5的衬底、晶体管MN6的栅极、晶体管MN6的衬底、晶体管MN3的衬底和晶体管MN4的源极，晶体管MP3的栅极连接晶体管MN3的栅极和晶体管MN5的漏极，晶体管MP3的漏极连接晶体管MP4的源极和晶体管MP5的衬底，晶体管MN3的源极连接晶体管MN4的漏极和晶体管MN7的衬底，晶体管MP5的漏极连接晶体管MN5的栅极、晶体管MN7 的漏极和输出端OUT。

作为本发明的进一步技术方案：所述晶体管MP1和晶体管MN1构成第一反相器。

作为本发明的进一步技术方案：所述晶体管MP5、晶体管MN7并联构成一个传输门，两个晶体管的源极共同作为输入端。

作为本发明的进一步技术方案：所述晶体管MP5、晶体管MN7并联构成一个传输门，两个晶体管的源极共同作为输入端，漏极共同作为输出端。

作为本发明的进一步技术方案：所述第一参考电源V1为一恒定的+5V电压，所述第二参考电源V0为一恒定的-5V电压。

作为本发明的进一步技术方案：所述晶体管MP1、晶体管MP2、晶体管MP3、晶体管MP4、晶体管MP5均是P型增强型场效应管。

作为本发明的进一步技术方案：所述晶体管MN1、晶体管MN2、晶体管MN3、晶体管MN4、晶体管MN5、晶体管MN6、晶体管MN7均是N型增强型场效应管。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明高精度低噪声模拟开关的输入级电路能够实现模拟信号不失真的传输并抑制噪声，并且还能降低模拟开关电路的导通电阻。

附图说明

图1是本发明的原理图。

具体实施方式