[实用新型]一种过压过流保护二极管封装结构

说明书

本实用新型公开的一种过压过流保护二极管封装结构，包括过流过压保护二极管芯片、第一、二引脚以及塑封结构；第一、二引脚分别具有第一、二芯片焊接部、第一、二PCB板连接部以及第一、二连接部，其还包括第一、二铜粒，第一、二铜粒分别焊接在过流过压保护二极管芯片的上下两极，第一、二芯片焊接部分别焊接在第一、二铜粒上；塑封结构封装第一、二芯片焊接部、第一、二连接部、第一、二铜粒、过流过压保护二极管芯片；第一、二PCB板连接部均位于塑封结构的外侧，第一、二PCB板连接部的末端均翻折至与塑封结构的底面平行的状态并贴近塑封结构的底面。通过在过流过压保护二极管芯片与第一、二引脚的第一、二芯片焊接部之间设置第一、二铜粒，提高了散热效果。

技术领域

本实用新型涉及二极管封装技术领域,特别涉及一种过压过流保护二极管封装结构。

背景技术

电子设备在汽车电子、通讯、新能源、安防、消费电子、工业电子、医疗电子等行业得到了广泛的应用。为了保证电子设备能够安全可靠的工作，多采用过压过流保护二极管对电子设备的电路进行防护。

在现有技术中，过压过流保护二极管多对电子设备进行雷击保护，然而，当雷击电压或电流超出过压过流保护二极管本身性能极限时，会呈现击穿短路现象，从而导致电路的工作电流突增，烧毁电路中其他元器件。随着电子设备中元器件集成度的提高以及使用的频率提升，其电路的工作电压和电流也相应增大，更易遭受雷击，因此，现有电子设备中的过压过流保护二极管出现击穿短路现象加剧，严重影响了电子设备的安全可靠工作。但是目前的过压过流保护二极管其散热性不够理想，造成温度较高烧坏芯片。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种散热效果好的过压过流保护二极管封装结构。

本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：

一种过压过流保护二极管封装结构，包括过流过压保护二极管芯片、第一引脚、第二引脚以及塑封结构；所述第一引脚具有第一芯片焊接部、第一PCB 板连接部以及第一连接部，所述第一连接部位于所述第一芯片焊接部与第一 PCB板连接部之间；所述第二引脚具有第二芯片焊接部、第二PCB板连接部以及第二连接部，所述第二连接部位于所述第二芯片焊接部与第二PCB板连接部之间；其特征在于，还包括第一铜粒和第二铜粒，所述第一铜粒和第二铜粒分别焊接在所述过流过压保护二极管芯片的上下两极，所述第一引脚的第一芯片焊接部和第二引脚的第二芯片焊接部分别焊接在所述第一铜粒和第二铜粒上；所述塑封结构封装所述第一引脚的第一芯片焊接部、第一连接部、第一铜粒、过流过压保护二极管芯片、第二铜粒、所述第二引脚的第二连接部、第二芯片焊接部；所述第一PCB板连接部和所述第二PCB板连接部均位于所述塑封结构的外侧，所述第一PCB板连接部的末端和所述第二PCB板连接部的末端均翻折至与所述塑封结构的底面平行的状态并贴近所述塑封结构的底面。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一铜粒和第二铜粒的边界尺寸与所述过流过压保护二极管芯片的边界尺寸相适配；所述第一芯片焊接部的边界尺寸小于所述第一铜粒的边界尺寸；所述第二芯片焊接部的边界尺寸小于所述第二铜粒的边界尺寸。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述第一连接部具有一向远离所述第一铜粒方向突出的第一突起部和一与所述过流过压保护二极管芯片平齐的第一平直部，所述第一突起部的一端与所述第一芯片焊接部连接，所述第一突起部的另一端与所述第一平直部的一端连接，所述第一平直部与所述第一PCB板连接部的首端连接；所述第二连接部具有一向远离所述第二铜粒方向突出的第二突起部和一与所述过流过压保护二极管芯片平齐的第二平直部，所述第二突起部的一端与所述第二芯片焊接部连接，所述第二突起部的另一端与所述第二平直部的一端连接，所述第二平直部与所述第二PCB板连接部的首端连接；所述第一平直部和所述第二平直部位于所述过流过压保护二极管芯片的两侧，所述第一突起部和所述第二突起部分别位于所述过流过压保护二极管芯片两侧的上下方。

在本实用新型的一个优选实施例中，在所述第一突起部的两侧均设置有第一凹陷部，在所述第二突起部的两侧均设置有第二凹陷部。