[实用新型]一种无线RF数字地感发射器有效

专利信息
申请号: 202021728079.7 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN213024809U 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 吴佳鑫;潘德锋 申请(专利权)人: 泉州市巨将防盗设备有限公司
主分类号: G08G1/042 分类号: G08G1/042
代理公司: 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 代理人: 赖开慧
地址: 362300 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 无线 rf 数字 感发
【权利要求书】:

1.一种无线RF数字地感发射器,其特征在于:包括电源电路、磁场变化量采集电路和无线RF发射电路;

所述电源电路包括信号接入端VIN、电源端VCC、压敏电阻U4、二极管D5、电解电容C7、ASM1117芯片和电解电容C8,所述电源端VCC提供12V直流电压;

所述信号接入端VIN与二极管D5的正极电连接,所述二极管D5的正极还与压敏电阻U4的第一端电连接,所述压敏电阻U4的第二端接地,所述二极管D5的负极、电解电容C7的正极以及ASM1117芯片的IN端分别与电源端VCC电连接,所述电解电容C7的负极接地,所述ASM1117芯片的GND端接地,所述ASM1117芯片的OUT端与电解电容C8的正极电连接,所述电解电容C8的负极接地,所述ASM1117芯片的OUT端输出3.3V直流电压;

所述磁场变化量采集电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C9、电阻R3、电阻R4、电阻R5、BH66F5232芯片和TMR2102传感器,所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6和电容C9均为非极性电容;所述BH66F5232芯片的VOREG端和VDD端分别连接ASM1117芯片的OUT端,所述BH66F5232芯片的VOREG端通过电容C1接地,所述BH66F5232芯片的VDD端通过电容C5接地,所述BH66F5232芯片的VCM端通过电容C2接地,所述BH66F5232芯片的AN1端通过电容C3接地,所述BH66F5232芯片的AN1端通过电容C4连接BH66F5232芯片的AN0端,所述BH66F5232芯片的AN0端通过电容C6接地,所述BH66F5232芯片的AN1端电子R4连接TMR2102传感器的V-端,所述BH66F5232芯片的AN0端通过电阻R5连接TMR2102传感器的V+端,所述TMR2102传感器的GND端与电阻R3的第一端电连接,所述TMR2102传感器的VCC端与ASM1117芯片的OUT端电连接,所述TMR2102传感器的VCC端还通过电容C9与电阻R3的第一端电连接,所述电阻R3的第二端接地;

所述无线RF发射电路包括电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电阻R1、电阻R2、NPN型三极管Q2、电感L1、电感L2、电感L3、三端晶振Y1和天线T1,所述ASM1117芯片的PA1端通过电阻R1与NPN型三极管Q2的基极电连接,所述NPN型三极管Q2的基极还与三端晶振Y1的第一端电连接,所述三端晶振Y1的第二端和第三端均接地;所述NPN型三极管Q2的集电极通过电感L1与电源端VCC电连接,所述电源端VCC通过电容C12接地,所述NPN型三极管Q2的集电极通过电容C14接地,所述NPN型三极管Q2的集电极与电感L2的第一端电连接,所述电感L2的第二端依次通过电感L3、天线T1、电容C15接地,所述电感L2的第二端通与电容C13的第一端电连接,所述电容C13的第二端接地;所述NPN型三极管Q2的发射极通过电阻R2接地,所述NPN型三极管Q2的发射极通过电容C11与NPN型三极管Q2的集电极电连接,所述电容C10与电阻R2并联连接。

2.根据权利要求1所述的一种无线RF数字地感发射器,其特征在于:还包括继电器驱动电路,所述继电器驱动电路包括电阻R6、NPN型三极管Q1、二极管D2、电磁继电器K和电动门电机,所述BH66F5232芯片的PB0端通过电阻R6连接NPN型三极管Q1的基极,所述NPN型三极管Q1的发射极接地,所述NPN型三极管Q1的集电极与二极管D2的正极电连接,所述二极管D2的负极连接电源端VCC,所述电磁继电器K的线圈端子与二极管D2并联连接,所述电磁继电器K的输出端连接于电动门电机。

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