[实用新型]一种供电开关电路及用电设备有效
申请号: | 202021729786.8 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN212231414U | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 李绍飞;陈智慧;罗烜;郭凡玉 | 申请(专利权)人: | 成都天锐星通科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/0412 | 分类号: | H03K17/0412;H03K17/687 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张欣欣 |
地址: | 610000 四川省成都市高新区中国(四川)*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 供电 开关电路 用电 设备 | ||
1.一种供电开关电路,其特征在于,所述供电开关电路包括NMOS晶体管、控制模块、充放电模块、开关电源以及负载,所述负载的正极与供电正极连接,所述负载的负极与所述NMOS晶体管的漏极连接,所述NMOS晶体管的源极与供电负极连接;
所述充放电模块包含第一端、第二端、第三端以及第四端,所述第一端与所述开关电源连接,所述第二端与所述控制模块连接,所述第三端与所述NMOS晶体管的栅极连接,所述第四端与所述供电负极连接;
所述控制模块用于向所述充放电模块输出指示电压;
所述充放电模块用于所述指示电压为高电平时,使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极导通,所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极断开,以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为导通状态;
所述充放电模块还用于所述指示电压为低电平时,使所述开关电源与所述NMOS晶体管的栅极断开,所述第四端与所述NMOS晶体管的栅极导通,以将所述NMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的源极切换为断开状态。
2.如权利要求1所述的供电开关电路,其特征在于,所述控制模块包括运算放大器、基准电压单元以及控制电压单元,所述控制电压单元与所述运算放大器的同相输入端连接,所述基准电压单元与所述运算放大器的反相输入端连接,所述运算放大器的输出端与所述第二端连接;
所述控制电压单元用于向所述同相输入端输出控制电压;
所述基准电压单元用于向所述反相输入端输出基准电压;
所述运算放大器用于当所述控制电压高于所述基准电压时,所述输出端向所述第二端输出高电平的指示电压;还用于当所述控制电压低于所述基准电压时,所述输出端向所述第二端输出低电平的指示电压。
3.如权利要求2所述的供电开关电路,其特征在于,所述运算放大器的供电正端与所述开关电源连接,所述运算放大器的供电负端分别与所述供电负极、地连接。
4.如权利要求3所述的供电开关电路,其特征在于,所述控制模块还包括第一电容,所述第一电容的一端与所述开关电源连接,所述第一电容的另一端与地连接。
5.如权利要求2所述的供电开关电路,其特征在于,所述控制电压单元包括第一电阻和第二电阻,所述基准电压单元包括第三电阻和分压件;
所述第一电阻的一端与所述第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端与所述供电负极连接,所述同相输入端连接于所述第一电阻和所述第二电阻之间,所述第一电阻的另一端与控制信号输入端连接;
所述第三电阻的一端与所述分压件的一端连接,所述第三电阻的另一端与所述开关电源连接,所述分压件的另一端与所述供电负极连接,所述反相输入端连接于所述第三电阻和所述分压件之间。
6.如权利要求5所述的供电开关电路,其特征在于,所述控制模块还包括二极管和第四电阻,所述二极管的正极连接于所述输出端,所述二极管的负极与所述第四电阻的一端连接,所述第四电阻的另一端连接于所述第二电阻和所述同相输入端之间。
7.如权利要求5所述的供电开关电路,其特征在于,所述分压件为稳压管、第五电阻或等电压基准IC。
8.如权利要求2所述的供电开关电路,其特征在于,所述控制模块还包括第六电阻,所述第六电阻的一端与所述输出端连接,所述第六电阻的另一端与所述第二端连接。
9.如权利要求1所述的供电开关电路,其特征在于,所述充放电模块包括第一三极管和第二三极管,所述第一三极管为NPN三极管,所述第二三极管为PNP三极管,所述第一端为所述第一三极管的集电极,所述第四端为所述第二三极管的集电极,所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极均与所述第二端连接,所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极均与所述第三端连接。
10.一种用电设备,其特征在于,所述用电设备包括权利要求1~9中任意一项所述的供电开关电路。
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