[实用新型]快速散热型半导体MOS场效应管

权利要求书

1.一种快速散热型半导体MOS场效应管，其特征在于：包括：位于环氧封装体（1）中的MOSFET芯片（2）、陶瓷导热本体（3）、源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6），此源极管脚（4）、漏极管脚（5）和栅极管脚（6）从环氧封装体（1）内向外延伸出；

所述陶瓷导热本体（3）一表面开有第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33），此第一条形凹槽（31）、第二条形凹槽（32）和第三凹槽（33）内分别填充有第一导电条（71）、第二导电条（72）和导电块（73）；

所述MOSFET芯片（2）上具有源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23），所述MOSFET芯片（2）安装于陶瓷导热本体上，此源极区（21）、漏极区（22）和栅极区（23）分别与第一导电条（71）、导电块（73）一端和第二导电条（72）电连接；

所述源极管脚（4）与第一导电条（71）电连接，所述漏极管脚（5）与导电块（73）另一端电连接，所述栅极管脚（6）与第二导电条（72）电连接；

所述陶瓷导热本体（3）具有一从环氧封装体（1）端面延伸出的散热板（9），位于环氧封装体（1）内的陶瓷导热本体（3）具有至少一个通孔（10）。

2.根据权利要求1所述的快速散热型半导体MOS场效应管，其特征在于：所述第一导电条（71）、第二导电条（72）平行设置。

3.根据权利要求1所述的快速散热型半导体MOS场效应管，其特征在于：所述MOSFET芯片（2）的源极区（21）、漏极区（22）均通过导电线（8）分别与第一导电条（71）、第二导电条（72）电连接。

4.根据权利要求1所述的快速散热型半导体MOS场效应管，其特征在于：所述陶瓷导热本体（3）的通孔（10）数目为2个。