[实用新型]一种防高频干扰的自恢复式过欠压保护器电路有效

专利信息
申请号: 202021730847.2 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN212875684U 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 吕学学;杨勇;赵凯钒 申请(专利权)人: 乐清市一锦电子有限公司
主分类号: H02M7/06 分类号: H02M7/06;H02M1/14;H02M1/32;H02M3/06;H02H7/125
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱亚冠
地址: 325603 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 干扰 恢复 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种防高频干扰的自恢复式过欠压保护器电路,包括有输入端、电源处理部分、信号处理部分、继电器执行部分以及模数转换及数据处理部分,其特征在于:所述电源处理部分包括有高频保护模块、降压模块、全波整流模块、滤波模块、高频吸收模块以及二次降压模块,所述高频保护模块连接于输入端和降压模块之间,所述降压模块与全波整流模块连接,所述全波整流模块与滤波模块连接,所述高频吸收模块连接于滤波模块与二次降压模块之间;所述模数转换及数据处理部分分别连接二次降压模块、信号处理部分以及继电器执行部分。

2.根据权利要求1所述的防高频干扰的自恢复式过欠压保护器电路,其特征在于:所述高频保护模块包括有压敏电阻YG1和绕线电阻R20,所述压敏电阻YG1的两端分别连接于输入端的火线和零线上,所述绕线电阻R20的一端连接于压敏电阻YG1与输入端火线的公共端上,另一端连接降压模块。

3.根据权利要求1或2所述的防高频干扰的自恢复式过欠压保护器电路,其特征在于:所述高频吸收模块包括有瞬态二极管D7,所述瞬态二极管D7的两端连接于滤波模块上。

4.根据权利要求1或2所述的防高频干扰的自恢复式过欠压保护器电路,其特征在于:所述降压模块包括有安规电容C1、电阻R18以及电阻R19,所述安规电容C1一端连接绕线电阻R20,另一端连接全波整流模块,所述电阻R18与电阻R19连接,所述电阻R18的外端接安规电容C1与绕线电阻R20的公共端,所述电阻R19的外端接安规电容C1与全波整流模块的公共端。

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